SiC (炭化ケイ素)

特徴
  • ケイ素と炭素から成る化合物で、化学式は SiC。
  • 硬度が高く、耐摩耗性、耐熱性、耐薬品性に優れる。
  • 熱伝導性が高く、高温環境や放熱用途に適している。
  • ワイドバンドギャップ半導体であり、高耐圧・低損失・高温動作が可能である。
  • 加工が難しく、Siに比べてコストが高い。
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    用途 研磨材、耐火材、半導体製造装置部品、放熱部材、パワー半導体、インバータ。
    SiC (炭化ケイ素)

    加工事例

    内部加工（スライシング）

    • 材料：SiC（炭化ケイ素）
    • 加工内容：内部加工（スライシング）
    • 波長：1030 nm
    • パルス幅：フェムト秒
    • 結果：基板の厚さ方向中央付近に改質層を生成し、上下方向引っ張ることで剥離(ウエハ化)できる

    加工結果

    加工前(上面)

    SiC(炭化ケイ素)_上面_加工前
    SiC(炭化ケイ素) 上面 加工前 <クリックで拡大表示>

    加工後(上面)

    SiC(炭化ケイ素)_上面_加工後
    SiC(炭化ケイ素) 上面 加工後 <クリックで拡大表示>

    加工前(側面)

    SiC(炭化ケイ素)_側面_加工前）
    SiC(炭化ケイ素) 側面 加工前 <クリックで拡大表示>

    加工後(側面)

    SiC(炭化ケイ素)_側面_加工後
    SiC(炭化ケイ素) 側面 加工後 <クリックで拡大表示>

    光響製品

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