GaN（窒化ガリウム）

特徴
  • ガリウムと窒素から成る化合物半導体で、化学式は GaN。
  • ワイドバンドギャップ半導体であり、高耐圧・高速スイッチング・高周波動作に優れる。
  • 青色・紫外発光が可能で、発光デバイス材料としても重要である。
  • Siに比べて電力損失を低減しやすく、電源回路の小型化・高効率化に適している。
  • 結晶成長や基板製造が難しく、コストが高い点が課題である。
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    用途 青色LED、紫外LED、レーザーダイオード、パワー半導体、高周波デバイス、急速充電器。
    GaN

    加工事例

    内部加工（スライシング）

    • 材料：GaN（窒化ガリウム）
    • 加工内容：内部加工（スライシング）
    • 波長：1030 nm
    • パルス幅：フェムト秒
    • 結果：基板の厚さ方向中央付近に改質層を生成し、上下方向引っ張ることで剥離（ウエハ化）できる

    加工結果

    レーザースライス 顕微鏡写真
    レーザー照射前材料
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    レーザースライス 顕微鏡写真
    レーザー照射後材料
    <クリックで拡大表示>

    レーザースライス 顕微鏡写真（断面）
    基板の側面画像
    <クリックで拡大表示（位置データ付き）>

    光響製品

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