光学センサーシステム
PIN-FET光検出器モジュール（セラミックパッケージタイプ）
PIN-FET光検出器モジュール（セラミックパッケージタイプ）は、PIN光検出器チップ、低ノイズトランスインピーダンスアンプ回路、メタライズド光ファイバ、セラミックシェルで構成されています。
本モジュールは、厚膜ハイブリッド集積組立プロセスと鉛錫融着封止光ファイバ結合プロセスを採用し、気密性の高いパッケージ構造を実現しています。全温度範囲において高い信頼性と安定した動作を特長としています。
アプリケーション
- 光ファイバジャイロスコープ（FOG）
- 光ファイバ電流センサー（FOCS）
- 光ファイバハイドロフォンおよびその他の光ファイバセンシング分野
特徴
- 高感度、低ノイズ
- 広いダイナミックレンジ
- 高い応答直線性
- 小型パッケージ
仕様
■最大定格値
| パラメータ項目 | シンボル | 定格値 | 単位 |
|---|---|---|---|
| 動作温度 | T A | -40～85 | ℃ |
| 保管温度 | T STG | -55～85 | ℃ |
| 最大入力光パワー | Pin | 1 | mW |
| モジュール動作電圧 | Vcc/Vss | ±6 | V |
| モジュール消費電力 | P W | 250 | mW |
| はんだ付け温度（時間） | － | 300（10s） | ℃ |
| ファイバ曲げ半径 | － | 20 | mm |
■主な技術パラメータ
| パラメータ項目 | 単位 | パラメータ値 | |||
|---|---|---|---|---|---|
| トランスインピーダンス値 | kΩ | 20 | 40 | 200 | 400 |
| 動作波長 | nm | 850/1310/1550 | |||
| A/W光応答度 | – |
≥0.55@850 nm ≥0.85@1310 nm ≥0.90@1550 nm |
|||
| ノイズ電圧 | mV | 0.5 | |||
| ダイナミックレンジ | dB | ≥25 | |||
| ゼロ電圧 | V | -1.7～-1.5 | |||
| 帯域幅 | MHz | ≥15 | ≥8 | ||
| 感度 | dBm | ≤-36 | ≤-39 | ≤-46 | ≤-49 |
| ゼロ温度ドリフト | mV/℃ | 1.2 | |||
寸法とピン定義
| PIN No. | 1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| GD45215J | Vss | GND | CASE | Vout | GND | NC | VCC | NC |
| GD4528J | NC | Vss | GND | VCC | Vss | Vout | NC | NC |
| GD4620J | Vss | GND | VCC | Vss | Vout | NC | – | – |
| 備考：VSS-負電源；VCC-正電源；NC－フローティングまたは接地；GND－接地；Vout－信号出力；CASE－シェル、接地。 | ||||||||
PIN-FET光検出器モジュール（メタルパッケージタイプ）
PIN-FET光検出器モジュール（金属パッケージタイプ）は、PIN光検出器チップ、低ノイズトランスインピーダンスアンプ回路、メタライズド光ファイバ、および金属シェルで構成されています。
本モジュールは、厚膜ハイブリッド集積組立プロセスと鉛錫融着封止光ファイバ結合プロセスを採用し、気密性の高いパッケージ構造を実現しています。全温度範囲において高い信頼性と安定した動作を特徴としています。
アプリケーション
- 光ファイバージャイロスコープ（FOG）
- 光ファイバー流速センサー（FOCS）
- 光ファイバーハイドロフォンおよびその他の光ファイバーセンシング分野
特徴
- 高感度、低音
- 広いダイナミックレンジ
- 高い応答直線性
- 優れた電磁シールド
仕様
■最大定格値
| パラメータ項目 | シンボル | 定格値 | 単位 |
|---|---|---|---|
| 動作温度 | T A | -40～85 | ℃ |
| 保管温度 | T STG | -55～85 | ℃ |
| 最大入力光パワー | Pin | 1 | mW |
| モジュール動作電圧 | Vcc/Vss | ±6 | V |
| モジュール消費電力 | P W | 250 | mW |
| はんだ付け温度（時間） | － | 300（10s） | ℃ |
| ファイバ曲げ半径 | － | 20 | mm |
■主な技術パラメータ
| パラメータ項目 | 単位 | パラメータ値 | |||
|---|---|---|---|---|---|
| トランスインピーダンス値 | kΩ | 20 | 40 | 200 | 400 |
| 動作波長 | nm | 850/1310/1550 | |||
| A/W光応答性 | – | ≥0.55@850 nm ≥0.85@1310 nm ≥0.90@1550 nm |
|||
| ノイズ電圧 | mV | 0.5 | |||
| ダイナミックレンジ | dB | ≥25 | |||
| ゼロ電圧 | V | -1.7～-1.5 | |||
| 帯域幅 | MHz | ≥15 | ≥8 | ||
| 感度 | dBm | ≤-36 | ≤-39 | ≤-46 | ≤-49 |
| ゼロ温度ドリフト | mV/℃ | 1.2 | |||
寸法とピンの定義
| PIN No. | 1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 7 | 8 | 9 | 10 | 11 | 12 | 13 | 14 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| GD4527Z | Vss | NC | CASE | Vss | GND | NC | Vout | GND | NC | VCC | NC | NC | NC | NC |
| GD4526Z | NC | Vss | GND | VCC | Vss | GND | CASE | – | – | – | – | – | – | |
| GD45216Z | Vss | GND | NC | Vout | GND | NC | VCC | NC | – | – | – | – | – | – |
| 備考：VSS-負電源；VCC-正電源；NC－フローティングまたは接地；GND－接地；Vout－信号出力；CASE－シェル、接地。 | ||||||||||||||
ミニLiNbO3多機能集積光学素子（Y導波路）
小型ニオブ酸リチウム多機能集積光デバイス（LiNbO3 MIOC）は、小型システムの要件を満たすため、性能指標と信頼性を確保することを前提に、デバイス本体は小型化設計されています。本デバイスは、偏光・分析・測定、ビーム分割・合成、位相位置変調などの機能を実現できます。
本デバイスは一体型ソケットを採用し、上部カバーは平行溶接により高い信頼性を実現しています。
アプリケーション
- 小型光ファイバージャイロスコープ (FOG)
- 光ファイバー電流センサー (FOCS)
- その他の光ファイバーセンシング分野
特徴
- 超小型パッケージ、軽量
- 低損失XカットYトランスファーニオブ酸リチウム光導波路
- アニールプロトン交換プロセスによる導波路作製、単一偏波動作、高いチップ偏波消光比。
- プッシュプル電極設計を採用し、半波長電圧を低減
- デバイスの長期安定性
仕様
■主な技術仕様（23℃）
| パラメータ | 単位 | 値 | ||
|---|---|---|---|---|
| 光学 | 動作波長 | nm | 830±25 | 1310±25 |
| 挿入損失 | dB | ≤3.5 | ||
| 最大入力光パワー | mW | ≤5 | ≤200 | |
| ビーム分割比 | – | 48/52 ~ 52/48 | ||
| ピグテール偏波クロストーク | dB | ≤-30 | ||
| チップ偏波消光比 | dB | ≥55 | ||
| バックライト反射 | dB | ≤-50 | ||
| 追加強度変調 | – | ≤0.2% | ||
| 電気 | 半波長電圧 | V | ≤3.5 | ≤4.5* |
| 電極耐電圧範囲 | V | ≤ 15 | ||
| 電極構造 | – | プッシュプル変調 | ||
| 動作周波数 | MHz | 0~500 | ||
| 機械 | 電気信号インターフェース | – | 3 PIN | |
| ピグテールタイプ | – | PM or SM | ||
| ピグテール径 | μm | 80/170 or 125/250 | ||
| 環境 | 動作温度範囲 | ℃ | -45 ~ +70 | |
| 保管温度範囲 | ℃ | -55 ~ +85 | ||
寸法
LiNbO3多機能集積光学素子（Y導波路）
ニオブ酸リチウム多機能集積光デバイス（LiNbO3 MIOC）は、マイクロエレクトロニクス技術を用いて、光学グレードのニオブ酸リチウムウエハ上に導波路と電極を作製しています。入力側と出力側の光ファイバと導波路は精密に斜め結合され、チップは金メッキのコバールシェルにパッケージングされています。このデバイスは、偏光・分析・測定、ビーム分割・結合、位相位置変調などの機能を実現できます。
一体型ソケットを採用し、上部カバーは平行溶接により高い信頼性を実現しています。
アプリケーション
- 光ファイバージャイロスコープ(FOG)
- 光ファイバー流速センサー(FOCS)
- 光ファイバーハイドロフォンおよびその他の光ファイバーセンシング分野
特徴
- 低損失XカットY転送ニオブ酸リチウム光導波路
- アニールプロトン交換プロセスによる導波路製造、単一偏波動作、高いチップ偏波消光比
- プッシュプル電極設計を採用し、半波長電圧を低減
- デバイスの長期安定性
- 小型パッケージ、軽量
仕様
■主な技術仕様（23℃）
| パラメータ | 単位 | 値 | ||
|---|---|---|---|---|
| 光学 | 動作波長 | nm | 131025 | 155025 |
| 挿入損失 | dB | ≤ 3.5 | ||
| 最大入力光パワー | mW | ≤ 200 | ||
| ビーム分割比 | – | 48/52 ~ 52/48 | ||
| ピグテール偏波クロストーク | dB | ≤ -30 | ||
| チップ偏波消光比 | dB | ≥ 55 | ||
| バックライト反射 | dB | ≤ -50 | ||
| 追加強度変調 | – | ≤ 0.2% | ||
| 電気 | 半波長電圧 | V | ≤ 3.8 | |
| 電極耐電圧範囲 | V | ≤ 15 | ||
| 電極構造 | – | プッシュプル変調 | ||
| 動作周波数 | MHz | 0~300 | ||
| 機械 | 電気信号インターフェース | – | 3 PIN | |
| ピグテールタイプ | – | PM or SM | ||
| ピグテール径 | m | 80/170 or 125/250 | ||
| 環境 | 動作温度範囲 | ℃ | -45 ~ +70 | |
| 保管温度範囲 | ℃ | -55 ~ +85 | ||
寸法（複数梱包形態あり）
LiNbO3直線導波路位相変調器
ニオブ酸リチウム（LiNbO3）電気光学位相位置変調器は、チタン拡散法またはプロトン交換法によって製造されます。入力光ファイバーと出力光ファイバーおよび導波路は精密に斜めに結合され、ニオブ酸リチウム材料の電気光学効果を利用して光信号の位相位置変調を実現します。
チタン拡散法またはアニールプロトン交換（APE）導波路法は、それぞれ複屈折または単一偏光位相位置変調を実現します。
このデバイスは、2種類のパッケージスタイルで提供されます。
アプリケーション
- 光ファイバ通信
- 光チャープ
- コヒーレント通信
- 光センシング
- 量子セキュア通信
特徴
- 低挿入損失
- 低駆動電圧
- 光ファイバとチップは斜め方向に精密に結合され、バックライトの反射を大幅に低減します。
- 小型パッケージ、軽量
- デバイスの長期安定性
仕様
■主な技術仕様（23℃）
| パラメータ | 単位 | 値 | |||
|---|---|---|---|---|---|
| 光学 | 動作波長 | nm | 106425 | 131025 | 155025 |
| 挿入損失 | dB | ≤3.5 | |||
| 最大入力光パワー | mW | ≤ 10 | ≤200(APE process) | ||
| ≤5 | ≤50(Ti process) | ||||
| 光リターンロス | dB | ≥50 | |||
| 追加強度変調 | – | ≤0.3% | |||
| 電気 | 半波長電圧（100kHz） | V | ≤3.0 | ≤3.5 | ≤4.5 |
| 最大印加電圧 | V | ≤15 （低周波） | |||
| 最大印加電力 | dBm | ≤30 （高周波） | |||
| 動作周波数 | Hz | DC~300M or 10M~10G | |||
| 機械 | コネクタ | – | 3 PIN or SMA | ||
| ピグテールタイプ | – | PM or SM Fiber | |||
| 環境 | 動作温度 | ℃ | -40~+70 | ||
| 保管温度 | ℃ | -55~+85 | |||
寸法
