レーザーダイオード

976nm 1W PM ポンプ用レーザーダイオード

PL-FP-976-D-A81-PA-FBG

PL-FP-976-D-A81-PA-FBG

PL-976-FP-1-A81-PAは、革新的な設計手法と最新の材料技術を採用し、製造プロセスの拡張性を大幅に向上させた976 nm帯ポンプ・レーザー・モジュールです。レーザーダイオードを45℃で動作させる「セミクール(半冷却)」方式により、TEC(熱電冷却素子)の負荷とシステム全体の消費電力を大幅に低減しています。本モジュールは、ハーメチック(気密)封止型980 nmポンプ・モジュールに関するTelcordia GR-468-CORE規格をはじめ、通信業界の厳しい要件に適合しています。

LD-PDシリーズ・ポンプ・モジュールは、ファイバー・ブラッグ・グレーティング(FBG)による波長安定化技術を採用しており、温度、駆動電流、光フィードバックが変動する環境下でも、ノイズの少ない狭線幅スペクトルを実現します。最高レベルの出力とスペクトル制御性能が求められる用途向けに、波長を選択することも可能です。

限界動作条件

製品仕様 Sign Unit Min. Max. 備考
LD順方向電流 If A 1.1*EOL CW
LD逆方向電圧 Vr V 2
LD逆方向電流 Ir μA 10
LD ESD耐性 VESD,LD V 500 C=100pF,    R=1.5kΩ,HBM Model
PD逆方向電圧 Vr,PD V 20
PD順方向電流 Ir,PD mA 10 Bias voltage-5V
PD ESD耐性 VESD,PD V 300 C=100pF,
R=1.5kΩ,
HBM Model
TEC電流 ITEC,AMR A -2 3
TEC電圧 VTEC,AMR V -3 4.7
動作環境温度 Tc °C -5 75
保存温度 Tstg °C -40 85 2000hrs MAX
LD動作温度 Ts °C 10 40 間隔<1min
動作時相対湿度 RHop % 5 85 乾燥空気1.0kg中の水分量は、0.024 kgを超えてはならない。
保存時相対湿度 RHstg % 5 85
リード溶接温度 Tsoldering °C 400 間隔<10s,
Tc≤75°C
製品仕様 Sign Unit Min. Max. 備考
ピグテールの軸方向引張力 N 5 3*10s
ピグテールの横方向引張力 N 2.5 3*10s
光ファイバの曲げ半径 mm 20

<備考>

  • 「極限動作条件」とは、デバイスが短時間耐えうる最高定格値を指します。最大定格を超えて動作させると、デバイスに恒久的な損傷を与える恐れがあります。最大定格条件に長時間さらされると、デバイスの信頼性や寿命に影響を及ぼす可能性があります。
  • 特に指定がない限り、デバイスの動作条件は以下の通りです:
    ケース温度 -5°C~+75°C、FBG温度 -5°C~+75°C、LD動作温度 25°C(任意のケース温度において)、PDバイアス電圧 -5V。

1550 nm 高出力DFBレーザーダイオード(低電流波長可変 同調係数)

1550nm high power DFB Laser diode

型番:PL-DFB-1550-500-60-A81-PA-NL

PL-DFB-1550-C-A81 1550 nm 超高出力・狭線幅 DFBレーザーダイオードモジュールは、60 mwまでの出力ファイバー、高コヒーレントなレーザー光源で費用対効果に優れています。このDFBレーザーダイオードチップは、TECとPDを内蔵し、業界標準のハーメチックシールにより密閉された14ピンのバタフライにパッケージされています。

電気/光学特性(Tsub=25°C、特に断りのない限りCWバイアス)

Parameter Symbol Min Typ Max Unit
中心波長 λ 1549.5 1550 1550.5 nm
サイドモード抑制比 SMSR 30 40 dB
スレッショルド電流 Ith 20 30 mA
動作電流 Iop 280 300 mA
チップ出力電力 Pf 50 60 100 mW
量子効率 η 0.08 0.12 mW/mA
電流調整係数 ∆λ/∆I 0.005 nm/mA
温度調整係数 ∆λ/∆T 0.12 nm/K
順電圧 Vf 1.3 2 V
サーミスタ抵抗 RT 9.5 10 10.5
サーミスタ温度 温度係数 -4.4 %/°C
コネクタ FC/APC

1064 nm DFB PMレーザーダイオード

1064nm DFB PM Laser diode

型番:PL-DFB-1064-A-A82-PA-R

PL-DFB-1064-A1-R 1064 nm DFBレーザーダイオードモジュールは、コストパフォーマンスに優れた、高コヒーレントレーザー光源です。ダイオードは0-30℃で優れた性能を発揮します。このDFBレーザーダイオードチップは、TECとPDを内蔵し、業界標準のハーメチックシールにより密閉された14ピンのバタフライにパッケージされています。

電気/光学特性(Tsub=25°C、特に断りのない限りCWバイアス)

Parameter Symbol Min Typ Max Unit
中心波長 λ 1062.5 1064 1066.5 nm
サイドモード抑制比 SMSR 30 40 dB
スレッショルド電流 Ith 20 30 mA
動作電流 Iop 180 250 mA
チップ出力電力 Pf 50 70 90 mW
量子効率 η 0.08 0.12 mW/mA
電流調整係数 ∆λ/∆I 0.015 nm/mA
温度調整係数 ∆λ/∆T 0.12 nm/K
順電圧 Vf 1.3 2 V
サーミスタ抵抗 RT 9.5 10 10.5
サーミスタ温度 温度係数 -4.4 %/°C
コネクタ FC/APC

注)使用温度10~30℃において、本製品が保証できる性能です。

980nm DFB PMレーザーダイオード

980nm DFB PM Laser diode

型番:PL-DFB-980-B-A81-PA

LD-PD社製PL-DFB-980-B-A81 980nm DFBレーザーダイオードモジュールは、コストパフォーマンスに優れた高コヒーレントレーザー光源です。
このDFBレーザーダイオードチップは、TECとPDを内蔵し、業界標準のハーメチックシールにより密閉された14ピンのバタフライにパッケージされています。

電気的/光学的特性(Tsub=25°C、特に断りのない限りCWバイアス)

Parameter Symbol Min Typ Max Unit
中心波長 λ 979 980 981 nm
サイドモード抑制比 SMSR 30 40 dB
スレッショルド電流 Ith 20 30 mA
動作電流 Iop 120 150 mA
チップ出力電力 Pf 40 50 60 mW
量子効率 η 0.08 0.12 mW/mA
電流調整係数 ∆λ/∆I 0.015 nm/mA
温度調整係数 ∆λ/∆T 0.12 nm/K
順電圧 Vf 1.3 2 V
サーミスタ抵抗 RT 9.5 10 10.5
サーミスタ温度 温度係数 -4.4 %/°C
コネクタ FC/APC