レーザーダイオード
976nm 1W PM ポンプ用レーザーダイオード
PL-FP-976-D-A81-PA-FBG
PL-976-FP-1-A81-PAは、革新的な設計手法と最新の材料技術を採用し、製造プロセスの拡張性を大幅に向上させた976 nm帯ポンプ・レーザー・モジュールです。レーザーダイオードを45℃で動作させる「セミクール(半冷却)」方式により、TEC(熱電冷却素子)の負荷とシステム全体の消費電力を大幅に低減しています。本モジュールは、ハーメチック(気密)封止型980 nmポンプ・モジュールに関するTelcordia GR-468-CORE規格をはじめ、通信業界の厳しい要件に適合しています。
LD-PDシリーズ・ポンプ・モジュールは、ファイバー・ブラッグ・グレーティング(FBG)による波長安定化技術を採用しており、温度、駆動電流、光フィードバックが変動する環境下でも、ノイズの少ない狭線幅スペクトルを実現します。最高レベルの出力とスペクトル制御性能が求められる用途向けに、波長を選択することも可能です。
限界動作条件
| 製品仕様 | Sign | Unit | Min. | Max. | 備考 |
|---|---|---|---|---|---|
| LD順方向電流 | If | A | 1.1*EOL | CW | |
| LD逆方向電圧 | Vr | V | 2 | ||
| LD逆方向電流 | Ir | μA | 10 | ||
| LD ESD耐性 | VESD,LD | V | 500 | C=100pF, R=1.5kΩ,HBM Model | |
| PD逆方向電圧 | Vr,PD | V | 20 | ||
| PD順方向電流 | Ir,PD | mA | 10 | Bias voltage-5V | |
| PD ESD耐性 | VESD,PD | V | 300 | C=100pF, R=1.5kΩ, HBM Model |
|
| TEC電流 | ITEC,AMR | A | -2 | 3 | |
| TEC電圧 | VTEC,AMR | V | -3 | 4.7 | |
| 動作環境温度 | Tc | °C | -5 | 75 | |
| 保存温度 | Tstg | °C | -40 | 85 | 2000hrs MAX |
| LD動作温度 | Ts | °C | 10 | 40 | 間隔<1min |
| 動作時相対湿度 | RHop | % | 5 | 85 | 乾燥空気1.0kg中の水分量は、0.024 kgを超えてはならない。 |
| 保存時相対湿度 | RHstg | % | 5 | 85 | |
| リード溶接温度 | Tsoldering | °C | 400 | 間隔<10s, Tc≤75°C |
| 製品仕様 | Sign | Unit | Min. | Max. | 備考 |
|---|---|---|---|---|---|
| ピグテールの軸方向引張力 | N | 5 | 3*10s | ||
| ピグテールの横方向引張力 | N | 2.5 | 3*10s | ||
| 光ファイバの曲げ半径 | mm | 20 |
<備考>
- 「極限動作条件」とは、デバイスが短時間耐えうる最高定格値を指します。最大定格を超えて動作させると、デバイスに恒久的な損傷を与える恐れがあります。最大定格条件に長時間さらされると、デバイスの信頼性や寿命に影響を及ぼす可能性があります。
- 特に指定がない限り、デバイスの動作条件は以下の通りです:
ケース温度 -5°C~+75°C、FBG温度 -5°C~+75°C、LD動作温度 25°C(任意のケース温度において)、PDバイアス電圧 -5V。
1550 nm 高出力DFBレーザーダイオード(低電流波長可変 同調係数)
型番:PL-DFB-1550-500-60-A81-PA-NL
PL-DFB-1550-C-A81 1550 nm 超高出力・狭線幅 DFBレーザーダイオードモジュールは、60 mwまでの出力ファイバー、高コヒーレントなレーザー光源で費用対効果に優れています。このDFBレーザーダイオードチップは、TECとPDを内蔵し、業界標準のハーメチックシールにより密閉された14ピンのバタフライにパッケージされています。
電気/光学特性(Tsub=25°C、特に断りのない限りCWバイアス)
| Parameter | Symbol | Min | Typ | Max | Unit |
|---|---|---|---|---|---|
| 中心波長 | λ | 1549.5 | 1550 | 1550.5 | nm |
| サイドモード抑制比 | SMSR | 30 | 40 | dB | |
| スレッショルド電流 | Ith | 20 | 30 | mA | |
| 動作電流 | Iop | 280 | 300 | mA | |
| チップ出力電力 | Pf | 50 | 60 | 100 | mW |
| 量子効率 | η | 0.08 | 0.12 | mW/mA | |
| 電流調整係数 | ∆λ/∆I | 0.005 | nm/mA | ||
| 温度調整係数 | ∆λ/∆T | 0.12 | nm/K | ||
| 順電圧 | Vf | 1.3 | 2 | V | |
| サーミスタ抵抗 | RT | 9.5 | 10 | 10.5 | KΩ |
| サーミスタ温度 温度係数 | -4.4 | %/°C | |||
| コネクタ | FC/APC | ||||
1064 nm DFB PMレーザーダイオード
型番:PL-DFB-1064-A-A82-PA-R
PL-DFB-1064-A1-R 1064 nm DFBレーザーダイオードモジュールは、コストパフォーマンスに優れた、高コヒーレントレーザー光源です。ダイオードは0-30℃で優れた性能を発揮します。このDFBレーザーダイオードチップは、TECとPDを内蔵し、業界標準のハーメチックシールにより密閉された14ピンのバタフライにパッケージされています。
電気/光学特性(Tsub=25°C、特に断りのない限りCWバイアス)
| Parameter | Symbol | Min | Typ | Max | Unit |
|---|---|---|---|---|---|
| 中心波長 | λ | 1062.5 | 1064 | 1066.5 | nm |
| サイドモード抑制比 | SMSR | 30 | 40 | dB | |
| スレッショルド電流 | Ith | 20 | 30 | mA | |
| 動作電流 | Iop | 180 | 250 | mA | |
| チップ出力電力 | Pf | 50 | 70 | 90 | mW |
| 量子効率 | η | 0.08 | 0.12 | mW/mA | |
| 電流調整係数 | ∆λ/∆I | 0.015 | nm/mA | ||
| 温度調整係数 | ∆λ/∆T | 0.12 | nm/K | ||
| 順電圧 | Vf | 1.3 | 2 | V | |
| サーミスタ抵抗 | RT | 9.5 | 10 | 10.5 | KΩ |
| サーミスタ温度 温度係数 | -4.4 | %/°C | |||
| コネクタ | FC/APC | ||||
注)使用温度10~30℃において、本製品が保証できる性能です。
980nm DFB PMレーザーダイオード
型番:PL-DFB-980-B-A81-PA
LD-PD社製PL-DFB-980-B-A81 980nm DFBレーザーダイオードモジュールは、コストパフォーマンスに優れた高コヒーレントレーザー光源です。
このDFBレーザーダイオードチップは、TECとPDを内蔵し、業界標準のハーメチックシールにより密閉された14ピンのバタフライにパッケージされています。
電気的/光学的特性(Tsub=25°C、特に断りのない限りCWバイアス)
| Parameter | Symbol | Min | Typ | Max | Unit |
|---|---|---|---|---|---|
| 中心波長 | λ | 979 | 980 | 981 | nm |
| サイドモード抑制比 | SMSR | 30 | 40 | dB | |
| スレッショルド電流 | Ith | 20 | 30 | mA | |
| 動作電流 | Iop | 120 | 150 | mA | |
| チップ出力電力 | Pf | 40 | 50 | 60 | mW |
| 量子効率 | η | 0.08 | 0.12 | mW/mA | |
| 電流調整係数 | ∆λ/∆I | 0.015 | nm/mA | ||
| 温度調整係数 | ∆λ/∆T | 0.12 | nm/K | ||
| 順電圧 | Vf | 1.3 | 2 | V | |
| サーミスタ抵抗 | RT | 9.5 | 10 | 10.5 | KΩ |
| サーミスタ温度 温度係数 | -4.4 | %/°C | |||
| コネクタ | FC/APC | ||||
