パッケージ型変調器

HyperLightのパッケージ化された電気光学変調器は、業界をリードする同社のTFLN Chiplet™プラットフォームを活用し、標準的な光およびRF入出力インターフェースを備えた、高品質かつ小型の商用グレード・パッケージにおいて145 GHzを超える動作帯域幅を実現します。極めて低いVπ(半波長電圧)、最小限の挿入損失、優れた光出力耐性を備え、かつ精密に校正されたこれらの変調器は、極めて高い性能が求められる試験・計測および通信用途において、高精度かつ高効率な電気光学変換を可能にします。

110 GHz 強度変調器

110 GHz 強度変調器
主な特徴

  • 実績ある量産レベルの110 GHz EOM
  • >125 GHz有効帯域幅
  • 業界最小クラスの半波長電圧(Vπ)
  • 1.4 Vの低Vπモデルも用意
  • コンパクトなフットプリント
  • 高い消光比
  • 安定したDCバイアス動作
  • 高い光およびRF耐入力
  • 信頼性の高い動作
  • 1.0 mm RFコネクタ(Wバンド)、FC/APCコネクタ付きPMファイバ
  • C/Lバンド、Oバンド、1 µm帯*に対応
  • バイアスコントローラも利用可能
  • 極低温対応モデルも用意

* 開発中

対象アプリケーション

  • レーンあたり448 Gbpsの試験
  • 240 GBaudの試験
  • 超広帯域光電変換
  • 試験・計測用リファレンストランスミッタ
  • RoF(Radio-over-Fiber)および衛星リンク
  • センシングおよび計測
  • モード同期およびレーザー周波数安定化

65 GHz 強度変調器

65 GHz 強度変調器
主な特徴

  • >70 GHz動作帯域幅
  • 1.4 V半波電圧
  • V型(1.85 mm)コネクタ
  • コンパクトな設置面積
  • 高い消光比
  • 安定したDCバイアス
  • 高い光およびRF電力処理能力
  • コスト重視の用途向けに、プレミアム構成と標準構成を用意
  • C/Lバンド、Oバンド、1 µm*
  • バイアスコントローラーが利用可能です

* 開発中

対象アプリケーション

  • レーンあたり200 Gbpsの試験
  • 150 GBaudの試験

超低Vπ強度変調器

超低Vπ強度変調器
主な特徴

  • >40 GHz帯域幅
  • 0.7 Vの半波長電圧
  • コンパクトなフットプリント
  • 高消光比
  • 安定したDCバイアス
  • 高い光およびRF許容電力
  • バランス検出用デュアル出力

対象アプリケーション

  • RoF(Radio-over-Fiber)および衛星リンク
  • 無線
  • 5G/6G

110 GHz 位相変調器

110 GHz 位相変調器
主な特徴

  • >110 GHz帯域幅
  • 記録的な低Vpi
  • Wタイプ(1.0 mm)コネクタ
  • 高い光およびRF許容電力

110 GHz IQ変調器

110 GHz IQ変調器
主な特徴

  • 単一偏波IQ変調器
  • >125 GHz帯域幅
  • 240 GBaudの信号伝送に対応
  • W型(1.0 mm)コネクタ2個を実装した完全パッケージ仕様
  • IQバイアスコントローラ利用可能
  • C/L帯およびO帯に対応

対象アプリケーション

  • 240 GBaud試験
  • 110 GHz単側波帯変調

40 GHz 超低Vπ位相変調器

40 GHz 超低Vπ位相変調器
主な特徴

  • 極めて低い半波長電圧
  • 5Wの高RF電力に対応する外部終端
  • >40 GHz 電気光学(EO)帯域幅
  • 高い光出力耐性
  • EOコム生成向けの簡素化された一体型変調器ソリューション

対象アプリケーション

  • 電気光学コム生成
  • 量子測定
  • マイクロ波フォトニクス

65 GHz IQ変調器

65 GHz IQ変調器
主な特徴

  • 単一偏波IQ変調器
  • >70 GHz帯域幅
  • 140 GBaudの信号伝送に対応
  • V型(1.85 mm)コネクタを2つ備えた完全パッケージ化(ゴールドボックス)仕様
  • 65 GHzまで対応するIQバイアスコントローラが利用可能
  • C/L帯およびO帯をカバー

対象アプリケーション

  • 140 GBaud試験
  • 70 GHz単側波帯変調

145 GHz 強度変調器

145 GHz 強度変調器
主な特徴

  • >145 GHz帯域幅
  • 0.8 mmコネクタ
  • 高消光比
  • 安定したDCバイアス
  • 高光・RFパワー耐性

対象アプリケーション

  • 260 GBaud試験

IM/IQ自動バイアス制御(ABC)

IM/IQ自動バイアス制御(ABC)
主な特徴

  • TFLN(薄膜ニオブ酸リチウム)上の熱光学位相シフター向けに設計
  • フォトダイオード(PD)を内蔵したコンパクトなPCB
  • 強度変調器およびIQ変調器に対応
  • 柔軟なロックポイント設定が可能
    • IM ABCモード:Quadrature (+/−)、Null/Peak
    • IQ ABCモード:Null、Null、Quad
  • ディザー制御による高精度なロック
  • 高い安定性

対象アプリケーション

  • TFLN変調器バイアス制御
  • NRZ/RZ変調
  • アナログRFoFリンク