Crystal Systems, LLC

Crystal Systems (旧 GT Advanced Technologies)社について

シリコン、サファイア分野の結晶成長技術に強みを持ち、各種結晶製品を開発・製造しています(本社/米国ニューハンプシャー州)。

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HEM Ti:サファイア

HEM Ti:サファイア
HEM Ti:サファイア
特徴
  • 280 mm(直径)
  • 優れた均質性
  • 優れた熱特性
  • 高いレーザー損傷しきい値
用途
  • 放射線療法
  • 陽子線治療
  • 材料特性化(評価・解析)

技術データ
ブルースターカットHEM Ti:サファイア(増幅器及び超短パルスレーザー用)
項目 数値
Grade Highly Uniform crystalline HEM Grown Ti: Sapphire crystals
Polish Type Laser Polish (10-5 or better Brewster’s angle Ends)
Sapphire Purity
Orientation 90°
Flatness L/10 flatness @632nm
Outside Diameter Surface Fine Ground
TWE L/4 P-V @632nm to minimize spatial variation and maximize beam quality
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