ES660 ESDおよびラッチアップ試験システム
ES660シリーズESD/LUテストシステムは、最新の半導体テストにおける厳しい要求を満たすために設計された、最先端のマルチピン自動テスト装置です。この多機能デバイスは、人体モデル（HBM）、マシンモデル（MM）、ラッチアップ（LU）、および過渡ラッチアップ（TLU）テストをシームレスにサポートするように設計されており、集積回路（IC）および電子部品の信頼性と堅牢性を評価するための包括的なソリューションを提供します。ES660は、従来のES612A + RE64リレー拡張モジュール/ES660-P1-EM1 ATE拡張モジュール構成と比較して、より高い仕様を備えています。
128ピンから最大1024/1280ピン、10バスまで対応可能なES660-P1構成は、多数の接続を持つ様々なICおよび電子部品のテストに最適なハードウェアソリューションです。
より多くのピン数でのテスト要求に対応するため、ES660-P1はES660-P2構成にアップグレード可能です。ES660-P2は、最大2560ピン、12バスをサポートする高密度ベースユニットマザーボードを搭載しています。
最新のES660ベースユニットおよびリレーカードのHV DCバスは最大800V DC以上、標準電圧バスは最大100V DC、ESDおよびリークパスは最大1200V DC以上の定格となっています。この設計により、HV DCおよびラッチアップテスト（例えば、最大±300V LUバイアスおよびストレス）が可能です。
高度なモジュール設計により、将来のピン数増加やテスト機能の向上に対応したアップグレードが可能です。システムの高速性は、高速/中速リレーの制御タイミング性能を最大限に高めることで実現されています。低寄生性能は、EMC最適化された低寄生PCBおよび機械的アーキテクチャの電流帰還経路（GND）設計によって実現されています。
ES660の優れた性能は、大規模デバイスの効率的な評価を保証し、試験時間の短縮と生産性の向上を実現します。
特徴
- 非常に柔軟なシステム構成で、128ピンから2560ピン、1バスから12バスまで拡張可能。
- 10kV HBM、4kV MM、300V/1A DCおよびLUストレス、1100V SMUリークなど、高ストレス仕様に対応。
- 低寄生リレーベースHBMテスター（JS-001 2017 Annex B4、2024 Annex C5 N=9準拠）。
- 高速ESDテスト（10 P/Sおよび15 P/Sオプションあり、20 P/S以上開発中）。
- 複数のESD/LU/TLU試験方法および規格との互換性
- LU電源のVおよびI波形をソフトウェアで取得・表示可能（オシロスコープの有無など、複数のオプションあり）
- ESD IV波形を外部電圧・電流プローブを用いてソフトウェアで取得可能
- オプションで熱負荷モジュールを統合可能（室温～200℃または-15～200℃のオプションあり）
- オプションでマルチプロトコル前処理モジュールを搭載可能（LU試験中にインタラクティブな動作が可能）
- 14インチタッチスクリーンにより、テストの進行状況と条件を視覚的に確認できます。
- TLP/EOS/Surgeなどの過渡ラッチアップ設定が可能です。
アプリケーション
- 半導体デバイスのESD試験
- HBMモジュールはANSI/ESDA/JEDEC JS-001、MIL-STD-883E、AEC Q100-002に準拠
- MMモジュールはANSI/ESDA SP5.2に準拠
- ラッチアップはJEDEC JESD78に準拠
- 過渡ラッチアップはANSI/ESD SP5.4.1の取得に向けて準備中
仕様
■ES660 Base Unit
| パラメータ | ES660-P1/P2 | 単位 | 備考 |
|---|---|---|---|
| タッチスクリーン | 14 | inch | |
| 寸法 | 60 X 62 X 117 | cm | ESDEMC ラックシステム |
| 重量 | 50 – 200 | kg | 設定によります |
| ESDおよびLU波形 | オプションの受動型電圧・電流プローブ | ||
| 対応オシロスコープ | 大多数のモデルは Keysight, Tektronix, LeCroy, Rigol | カスタマイズ可能 | |
| 対応SMU | 選択されたモデルは Keysight, Tektronix, LeCroy, Rigol | カスタマイズ可能 | |
| 対応電源ユニット | 選択されたモデルは Keysight, Tektronix, LeCroy, Rigol, etc | カスタマイズ可能 |
■HBM（人体モデル）オプション (ANSI/ESDA/JEDEC JS-001)
| パラメータ | ES660-Px-HBM8 | ES660-Px-HBM10 | 単位 | 備考 |
|---|---|---|---|---|
| 出力電圧 | ±10 ~ 8000 | ±10 ~ 10000 | V | |
| 最小電圧ステップ | 1 | V | ||
| 放電RC値 | C: 100 pF ± 10%, R: 1.5kΩ ± 1% | |||
| 短時間負荷ピーク電流Ips | 0.67 ± 10 % per kV | A | ||
| 短時間負荷立ち上がり時間trs | 2 < trs < 10 | ns | ||
| 短時間負荷減衰時間tds | 130 < tds < 170 | ns | ||
| 短時間負荷リンギングtrs | < 15% of Ips | |||
| 500Ω負荷ピーク電流 Ipr | Ipr/Ips ≥ 63% | |||
| 500Ω負荷立ち上がり時間 trr | 5 < trr < 25 | ns | ||
| 最大パルスレート/パルスモジュール | 10 スタンダード, 15 オプション | P/S | ||
| 同時パルス数 | >=8 | >512pin | ||
| 2024 Annex C5準拠の低寄生HBM | N = 9 | 低寄生設備付き | ||
■MMマシンモデルオプション (ANSI/ESD SP5.2)
| パラメータ | ES660-Px-MM2 | ES660-Px-MM4 | 単位 | 備考 |
|---|---|---|---|---|
| 出力電圧 | ±10 ~ 2000 | ±10 ~ 4000 | V | |
| 最小電圧ステップ | 1 | V | ||
| 放電RC値 | C: 200 pF, R: 0 Ω | |||
| 短絡負荷ピーク電流Ip1 | 1.75±10% per 100V | A | ||
| 短絡負荷 Ip2 | 67% ~ 90% of Ip1 | A | ||
| 短絡負荷パルス周期tpm | 66 < tpm <90 | ns | ||
| 500Ω負荷ピーク電流 Ipr | 0.85 – 1.2 | A | 400V条件（規格準拠） | |
| 500Ω負荷 I100 | 0.23 – 0.4 | A | 400V条件（規格準拠） | |
| 最大パルスレート/パルスモジュール | 10 | P/S | ||
| 同時パルス数 | >=8 | >512pin | ||
■DC電源&ラッチアップオプション (JEDEC JESD78)
| パラメータ | ES660-P1 BU | ES660-P2 BU | コメント |
|---|---|---|---|
| プリコンディショニングベクトル | Up to ≥ 20 MHz, 256K/1M Depth | Up to ≥ 20 MHz, 256K/1M Depth |
内部オプションと外部オプションの両方 |
| プリコンディショニングロジックレベル | 0.5 – 5V | 0.5 – 5V | |
| V/I 4線式ケルビン測定 | Y | Y | |
| DUT V/Iバス電源 | 3+1, 5+1, 7+1 | 3+1, 5+1, 7+1, 9+1 | 追加のDC電源供給源 拡張可能 |
| LU波形キャプチャ | Y | Y | |
| リレーマトリックス最大V DC (V) | 800 | 800 | |
| SSRマトリックス最大V DC (V) | 100 | 100 | |
| ピンごとの最大I DC (A) | 2 | 2 | |
| DCバスごとの最大I DC (A) | 15 | 10 | |
| デフォルトLUソース最大V (V) | >= 300 | >= 300 | 最大電流1Aに制限 |
| デフォルトLUソース最大I (A) | >= 10 | >= 10 | 最大電圧10Vに制限 |
注：ES660システムには、背面パネルから各ポゴピンのTermA接続部への追加のDCパスがあります。このパスにより、最大1200VのDC電圧でデバイスのTLU/HV/DC特性をさらに詳細に評価できます。
■TLU過渡ラッチアップオプション (ANSI/ESD SP5.4.1)
【仕様は最終決定待ち】ラッチアップ過渡パルス発生器のハードウェアサポート予定機種：ES622（TLP/VF-TLP）、EOS-500（EOS）、LVS-500（LVS）、HBM、MM
注文情報
| Line | Part # or Option # | 説明 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 基本ユニットオプション | |||
| 1.1 | ES660-P0-EM1 | リレーベースHBM/MM/LU ATE拡張モジュール（コントローラおよびHVPSなし）外部コントローラ（ES612A/ES622Aなど）、リレーカード、ファンクションユニットが必要。最大512ピン、10DC | |
| 1.2 | ES660-P1-BU | リレーベースHBM/MM/LU ATEシステムラックユニット（最大1024ピン、10DC） | |
| 1.3 | ES660-P2-BU | リレーベースHBM/MM/LU ATEシステムラックユニット（最大2560ピン、12DC） | |
| 1.4 | ES660-HBM8-1 | 最大8kVまでの人体モデル機能を追加 | |
| 1.5 | ES660-HBM10-1 | 最大10kVまでの人体モデル機能を追加 | |
| 1.6 | ES660-MM2 | 最大2kVまでの機械モデル機能を追加 | |
| 1.7 | ES660-MM4 | 最大4kVまでの機械モデル機能を追加 | |
| 1.8 | ES660-LU | ラッチアップ機能（ソフトウェア、PSU、PSMUなどが必要） | |
| 1.9 | ES660-TLU | 過渡ラッチアップ機能（ソフトウェア、TLP/EOSが必要） | |
| 1.10 | ES660-MPPM-1 | マルチプロトコルプリコンディショニングモジュール（外部モジュール） | |
| 1.11 | ES660-RC64VP1-256K | リレーカードのベクタリングおよびクロックプリコンディショニングモジュールリレーカード1枚につきモジュール1個、20MHz以上、256Kビット深度 | |
| 1.12 | ES660-RC64VP1-1M | リレーカード用ベクタリング＆クロックプリコンディショニングモジュール。リレーカード1枚につきモジュール1個、20MHz以上、1Mビット深度 | |
| 1.13 | ES660-TFM1 | 温度強制モジュール（室温～200℃） | |
| 1.14 | ES660-TFM2 | 温度強制モジュール（-15～200℃） | |
| リレーカードのオプション（ご要望に応じて特別仕様のデザインも承ります） | |||
| 2.1 | ES660-P1-R64R1 | 64ピン追加用拡張リレーカード、1バイアス | ESD Only |
| 2.2 | ES660-P1-R64R4 | 64ピン追加用拡張リレーカード、3+1バイアス | |
| 2.3 | ES660-P1-R64R6 | 64ピン追加用拡張リレーカード、5+1バイアス | |
| 2.4 | ES660-P1-R64B6-HV | 64ピン追加用拡張リレーカード、5+1高電圧バイアス（DC最大800V） | |
| 2.5 | ES660-P1-R64R8 | 64ピン追加用拡張リレーカード、7+1バイアス | |
| 2.6 | ES660-P1-R64B8-HV | 64ピン追加用拡張リレーカード、7+1高電圧バイアス（DC最大800V） | |
| 2.7 | ES660-P2-R64R1 | 64ピン追加用拡張リレーカード、1バイアス | ESD Only |
| 2.8 | ES660-P2-R64R4 | 64ピン追加用拡張リレーカード、3+1バイアス | |
| 2.9 | ES660-P2-R64B8 | 64ピン追加用拡張リレーカード、7+1バイアス | |
| 2.10 | ES660-P2-R64B8-HV | 64ピン追加用拡張リレーカード、7+1高電圧バイアス（DC最大800V） | |
| 2.11 | ES660-P2-R64B10 | 64ピン追加用拡張リレーカード、 9+1バイアス | |
| 2.12 | ES660-P2-R64B12 | 64ピン追加用拡張リレーカード（11+1バイアス） | |
| DC、リーク、LUパルスソースオプション | |||
| 3.1 | ES660-SMU1 | 漏洩電流/DC電源：シングルチャンネルSMU（±200V/1A） | |
| 3.2 | ES660-SMU2 | 漏洩電流/DC電源：シングルチャンネルSMU（±1100V/0.02A） | |
| 3.3 | ES660-PSMU2 | 漏洩電流/DC/LU電源：デュアルチャンネルパルスSMU（±150V/1.2A） | |
| 3.4 | ES660-PSU1 | DC電源：内部ブリッジ付き3チャンネル電源 | |
| 3.5 | ES660-PSU2 | （32V/3A×2ch + 6V/5A×1ch、または70V/3A×1ch、または32V/6A×1ch） | |
| 3.6 | ES660-PSU3 | DC電源：3チャンネル電源（60V/3A×2ch + 5V/3A×1ch、または125V/3A×1ch） | |
| 3.7 | ES660-PSU6 | DC電源：高電流電源（20V/20A×1ch） | |
| 3.8 | ES660-PSU7 | DC電源：高出力電源（350V/2A×1ch） | |
| 3.9 | ES660-PSU-C2 | DC電源：高出力電源（100V/2A×1ch） V/7.5A × 1ch） | |
| 3.10 | ES660-PSU11 | 高電圧・高出力DCバイアス／ストレス電源、±300V/1Aまたは±100V/4A、IVモニター内蔵 | |
| テストソケットオプション | |||
| 4.1 | ES660-P1-DS512 | DUT ソケット PCB 512 Pin | |
| 4.2 | ES660-P1-DS1024 | DUT ソケット PCB 1024 Pin | |
| 4.3 | ES660-P1-DSC1 | DUT ソケット PCB ピン数カスタマイズ可能 | |
| オシロスコープオプション | |||
| 5.1 | MISC-OSC350 | デジタルオシロスコープ（350MHz、4チャンネル） | |
| 5.3 | CT-T03-1p0 | 広帯域電流プローブ、1V/A、2kHz～2GHz | |