IQ変調器
IQ Modulator
ROF 光変調器 ニオブ酸リチウム変調器 IQ変調器
絶縁体上ニオブ酸リチウム（LNOI）材料は、バルクニオブ酸リチウム材料の優れた電気光学特性を受け継いでおり、小型で集積可能かつ高い変調効率を備えたニオブ酸リチウム変調器チップの新たな実現手段となります。
当社は、LNOI材料を用いた広帯域・低半波長電圧の薄膜LiNbO₃電気光学変調器を開発しました。高い安定性、低挿入損失、小型という特長を備え、従来のバルク型ニオブ酸リチウム変調器を上回る性能を実現しています。高速光通信やマイクロ波フォトニクスの分野で幅広い用途に対応します。
特長
- 広帯域
- 低挿入損失
- 低駆動電圧
- 小型
- 高安定性
用途
- 長距離コヒーレント通信
- マイクロ波フォトニクスなど
仕様表
| パラメータ | Symbol | Performance | 単位 |
|---|---|---|---|
| 動作波長 | λ | 1530~1565 | nm |
| 光挿入損失 | IL | ≤ 5.5 | dB |
| 光消光比 | ER | ≥ 25 | dB |
| 光反射損失 | RL | ≤ -26 | dB |
| 光入力パワー | Pin | ≤ 200 | mW |
| 帯域幅（3dB） | BW | 20/40 | GHz |
| RF半波長電圧（50kHz時） | Vπ | ≤ 3.5 | V |
| RF反射損失 | S11 | ≤ -10 | dB |
| RF入力パワー | Sin | ≤ 23 | dBm |
| ヒーターバイアス半波長パワー | Pπ | 50(30) | mW |
| ヒーターバイアス電圧 | Uheater | < 8 | V |
| 動作温度 | TO | -55~85 | ℃ |
| 保存温度 | TS | -55~85 | ℃ |