強度変調器
Intensity Modulator

850 nm 電気光学強度変調器

ROF 電気光学変調器 850 nm 電気光学強度変調器 10G

ROF 電気光学変調器 850 nm 電気光学強度変調器 10G

ROF-AM 850 nmニオブ酸リチウム光強度変調器は、高度なプロトン交換プロセスを採用しています。低挿入損失、広帯域変調、低半波長電圧などの特長を持ち、主に宇宙光通信システム、セシウム原子時間標準、パルス発生装置、量子光学などの分野で使用されています。

高度なプロトン交換プロセスを採用し、低挿入損失、広帯域変調、低半波長電圧などの特長を持ち、主に宇宙光通信システム、セシウム原子時間標準、パルス発生装置、量子光学などの分野で使用されています。

データーシートPDF

特長

  • 低挿入損失
  • 低半波長電圧
  • 高安定性

用途

  • 宇宙光通信システム
  • セシウム原子時間基準
  • パルス発生器
  • 量子光学

仕様表

光学パラメータ Symbol Min Typ  Max 単位
動作波長 l 830 850 870 nm
挿入損失 IL 4.5 5 dB
光反射減衰量 ORL -45 dB
スイッチ消光比（DC時） ER@DC 20 23 dB
動的消光比 DER 13 dB
光ファイバ 入力ポート PM780 fiber(125/250μm)
出力ポート PM780 fiber(125/250μm)
光ファイバーインターフェース FC/PC、FC/APC、カスタマイズ
電気的パラメータ Symbol Min Typ Max 単位
動作帯域幅（-3dB） S21 10 12 GHz
半波長電圧 Vpi RF @1KHz 2.5 3 V
Bias @1KHz 3 4 V
電気的反射損失 S11 -12 -10 dB
入力インピーダンス RF ZRF 50 W
Bias ZBIAS 1M W
電気インターフェース SMA(f)

1064 nm 電気光学強度変調器

ROF 電気光学変調器 1064 nm 強度変調器 10 GHz

ROF 電気光学変調器 1064 nm 強度変調器 10 GHz

ROF-AM 1064 nmニオブ酸リチウム光強度変調器は、高度なプロトン交換プロセスを採用しています。低挿入損失、広帯域変調、低半波長電圧などの特長を備え、宇宙光通信システム、パルス発生装置、量子光学などの分野で使用されています。

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特長

  • 広帯域変調
  • 低半波長電圧
  • 高安定性
  • 低挿入損失

用途

  • 光ファイバセンシングシステム
  • パルス光変調方式
  • パルス発生器
  • アナログ伝送リンク

仕様表

光学パラメータ Symbol Min Typ  Max Unit
動作波長 l 1030 1060 1100 nm
挿入損失 IL 4 5 dB
光反射減衰量 ORL -45 dB
スイッチ消光比（DC時） ER@DC 20 23 dB
光ファイバ 入力ポート 980nm PM fiber (125/250μm)
出力ポート 980nm PM fiber (125/250μm)
光ファイバーインターフェース FC/PC、FC/APC、カスタマイズ
電気的パラメータ Symbol Min Typ  Max Unit
動作帯域幅（-3dB） S21 10 12 GHz
半波長電圧 Vpi RF @50KHz 3.5 4 V
Bias @Bias 4 5 V
電気的反射損失 S11 -12 -10 dB
入力インピーダンス RF ZRF 50 W
Bias ZBIAS 1M W
電気インターフェース SMA(f)

1310 nm 電気光学強度変調器

ROF 電気光学変調器 1310 nm 強度変調器 2.5G マッハ・ツェンダー変調器

ROF 電気光学変調器 1310 nm 強度変調器 2.5G マッハ・ツェンダー変調器

LiNbO3（ニオブ酸リチウム）強度変調器（マッハ・ツェンダー変調器）は、優れた電気光学効果を有することから、高速光通信システム、レーザーセンシング、およびRoF（Radio over Fiber）システムにおいて広く利用されています。マッハ・ツェンダー（MZ）構造とXカット設計を採用したR-AMシリーズは、物理的・化学的に安定した特性を備えており、研究室での実験から産業用システムに至るまで、幅広く活用可能です。

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特長

  • 低挿入損失
  • 帯域幅：2.5GHz
  • 低半波長電圧
  • カスタマイズ対応

用途

  • ROFシステム
  • 量子鍵配送
  • レーザーセンシングシステム
  • サイドバンド変調

仕様表

光学パラメータ Symbol Min Typ Max 単位
動作波長 l 1290 1310 1330 nm
挿入損失 IL 4 5 dB
光反射減衰量 ORL -45 dB
スイッチ消光比（DC時） ER@DC 20 23 dB
動的消光比 DER 13 dB
光ファイバ 入力ポート PM Fiber (125/250μm)
出力ポート PM Fiber or SM Fiber(125/250μm)
光ファイバーインターフェース FC/PC、FC/APC、カスタマイズ
電気的パラメータ Symbol Min Typ Max 単位
動作帯域幅（-3dB） S21 2.5 GHz
半波長電圧 RF VΠ@1KHz 3 4 V
Bias VΠ@1KHz 3.5 4.5 V
電気的反射損失 S11 -12 -10 dB
入力インピーダンス RF ZRF 50 W
Bias ZBIAS 1M W
電気インターフェース SMA(f)

1550 nm 電気光学強度変調器

ROF 強度変調器 薄膜ニオブ酸リチウム変調器 20G TFLN変調器

ROF 強度変調器 薄膜ニオブ酸リチウム変調器 20G TFLN変調器

ROF-TFLN-20Gシリーズの電気光学強度変調器は、薄膜ニオブ酸リチウム導波路技術とM-Zプッシュプル構造を採用し、低半波長電圧と広い動作帯域幅を実現しています。バイアス（DC）端子には熱チューニング方式を採用しており、温度ドリフトを大幅に抑え、任意の動作点で長時間安定して動作します。バルク型変調器と比べて小型で、消費電力が少なく、安定性にも優れています。

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特長

  • 消光比 >25dB（標準値 30dB）
  • 高安定性
  • 高変調帯域幅
  • 低半波長電圧

用途

  • マイクロ波光子
  • 高速光通信
  • 量子通信

仕様表

光学パラメータ Symbol Min Typ  Max 単位
動作波長 l 1525 1565 nm
挿入損失 IL 4.5 5.5 dB
光反射減衰量 ORL -25 dB
スイッチ消光比（DC時） ER@DC 25 30 dB
光ファイバ 入力端子 Panda PM1550
出力端 Panda PM1550
光ファイバーインターフェース FC/PC、FC/APC、カスタマイズ
電気的パラメータ Symbol Min Typ Max 単位
動作帯域幅（-3dB） S21 20 25 GHz
RF半波長電圧 Vpi Vπ@1GHz 3.5 V
バイアス半波長電力Ppi Pπ@Bias 45 50 mW
バイアス端最大入力電圧 8 V
電気的反射損失 S11 -12 -10 dB
RF入力インピーダンス ZRF 50 W
電気インターフェース 2.92mmメス

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