切れ刃の結晶性(当社製フェムト秒レーザで形成)及び SiC基板への加工評価についてのお知らせ

当社が、近畿大学と共に進めておりました「切れ刃結晶性の評価」に
ついての試験が完了し、評価結果が出ましたので、概要を以下の通りお知らせ致します。

1. 案件名:
(光響製)フェムト秒レーザで形成した切れ刃の結晶性評価及びSiC基板への加工評価
(評価レポート)


2. 使用機器:
超高精密フェムト秒レーザー加工機(型番:femt-pro)

(製品イメージ)

 

3. 試験概要:
EV車普及等々、脱炭素社会化のキーデバイスとなるSiCパワー半導体であるが、SiC基板は極めて高硬度であり、材料劣化や歩留まりを低下させないクラックレス加工が困難な材料である。本研究では、SiC基板をファインカットするPCD切先の中にフェムト秒レーザーによるマイクロ切刃を付与し、鋭利性を評価した。
結果、フェムト秒レーザーが付与したマイクロ刃先では、ダイヤモンド結晶が熱劣化(グラファイト化)することなく、その加工溝の底面、また壁面の鏡面状態を確認した。

本件について、ご興味・ご質問等ありましたら、お気軽にお問い合わせください。