量子ドットレーザ・エピタキシャルウエハ 1240 nm – 1330 nm
種類 ：エピウエハ、FP-LD、DFB-LD、ゲインチップ
ファウンドリサービスメニュー ：
【エピタキシャル成長】まで
（提供形態：エピウエハ）
3 inch または 4 inch GaAs基板上に高品質のエピタキシャル成長を行います。
成長可能層は以下の通りです。
・InAs量子ドット
・InGaAs量子井戸
・GaAs
・AlGaAs
【回折格子埋め込み再成長】まで
（提供形態：回折格子付きエピウエハ）
活性層エピ、回折格子の形成と埋め込み再成長を行います。
【ウエハプロセス】まで
（提供形態：プロセス後のウエハ）
エピ、CAD作業・マスク作製、ウエハプロセスを行います。
【バー加工またはチップ加工】まで
（提供形態：バーまたはチップ）
エピ、ウエハプロセス、バー形成、端面コート、チップ化を行います。
【TO-CANパッケージング】まで
（提供形態：5.6 mm TO-CANパッケージ）
エピ、ウエハプロセス、チップ加工後、レーザチップを5.6mmのTO-CANにパッケージングします。
適用例 ：
・光通信用光源
・シリコンフォトニクス用光源（データセンタ内通信、スーパーコンピュータ、LiDAR、車載通信、携帯電話基地局通信）
・地下資源探査（高温175 – 200度）
量子ドットレーザ標準製品一覧（高温用量子ドットレーザ含む）
| 製品型番 | 波長 | 出力 | LDタイプ | パッケージ | |
|---|---|---|---|---|---|
| QLD1261-4005 | 1240 nm | 5 mW | DFB | 14 pin BFY | |
| QLD123F-4010 | 1240 nm | 15 mW | DFB | TO-56 | |
| QLF1339-AA | 1310 nm | 5 mW | FP | TO-56 | |
| QLF1312-P10 | 1310 nm | 10 mW | FP | Chip | |
| QLF131F-P16 | 1310 nm | 16 mW | FP | Chip | |
| QLF1335-AE 高温用（175度まで） |
1300 nm | – | FP | TO-56 | |
| QLF1335-T200 高温用（200度まで） |
1265 nm | – | FP | TO-56 |