ウエハー
サファイアウエハー
サファイアは、物理的、化学的、光学的特性が独自に組み合わさった材料であり、高温、熱衝撃、水や砂による浸食、傷に対する耐性を備えています。3 µmから5 µmの波長範囲にわたる多くのIRアプリケーションにおいて、優れた窓材として知られています。C面サファイア基板は、青色LEDやレーザーダイオード用のGaNなどのIII-V族およびII-VI族化合物の成長に広く用いられており、R面サファイア基板は、マイクロエレクトロニクスICアプリケーションにおけるシリコンのヘテロエピタキシャル成長に用いられています。
特徴
あらゆる方向に対応可能。カスタム方向も歓迎します。
2インチから6インチまでのウェハサイズを全タイプでご用意しています。
2インチで250μm、4インチで300μm、6インチで300μmまでウェハを薄型化できます。
アプリケーション
- III-V族およびII-VI族化合物半導体の成長基板
- エレクトロニクスおよびオプトエレクトロニクス
- 赤外線（IR）用途
- シリコン・オン・サファイア集積回路（SOS）
- 無線周波数集積回路（RFIC）
仕様
| 方向 | R面、C面、A面、M面、または指定された方向 |
|---|---|
| 方向公差 | ± 0.3° |
| 直径 | 2インチ、3インチ、4インチ、6インチ、8インチ、その他 |
| 直径公差 | 2インチ：0.1 mm、3インチ：0.2mm、4インチ：0.3 mm、6インチ：0.5 mm |
| 厚さ | 0.25 mm、0.33 mm、0.43 mm、0.65 mm、1 mm、その他 |
| 厚さ公差 | 25 μm |
| 主要フラット長さ | 2インチ：16.0±1.0 mm、3インチ：22.0±1.0 mm、4インチ：30.0±1.5 mm、6インチ：47.5/50.0±2.0 mm |
| 主要フラット方向 | A面（1 1-2 0）± 0.2° C面（0 0-0 1）±0.2°、投影C軸45 +/- 2° |
| TTV | 2インチの場合≤10 µm、3インチの場合≤15 µm、4インチの場合≤20 µm、6インチの場合≤25 µm |
| BOW | 2インチの場合≤10 µm、3インチの場合≤15 µm、4インチの場合≤20 µm、6インチの場合≤25 µm |
| 前面 | エピ研磨済み（C面の場合Ra< 0.3 nm、その他の方向の場合0.5 nm） |
| 背面 | ファイングラインド（Ra=0.6 µm～1.4 µm）またはエピ研磨済み |
| パッケージ | クラス100クリーンルーム環境で梱包 |
パターン化されたサファイア基板
パターン化サファイア基板（PSS）は、GaN系発光ダイオード（LED）に使用される微細パターン化されたサファイア基板です。PSSはGaN層の転位密度を低減し、光抽出効率を高め、LEDの輝度を向上させます。
特徴
- ナノスケールのパターンもご用意しております
- ドーム型、ピラー型、ロッド型をご用意しております
- カスタムパターンも承っております
仕様
| 材質 | 単結晶サファイア基板 | |
|---|---|---|
| 直径 | 50.8±0.1 mm (2インチ) | 100.0±0.2 mm（4インチ） |
| 方向 | C-M axis 0.2° | C−>M-axis 0.2° |
| 方向許容差 | ± 0.2° | |
| 厚さ | 430 ± 25 µm | 650 ± 25 µm |
| 主要フラット長さ | 16.0±1.0 mm | 30.0±1.5 mm |
| 主要フラット方向 | A面（1 1-2 0）±0.2° | |
| TTV | ≤10 µm | ≤15 µm |
| BOW | ≤10 µm | ≤15 µm |
| 前面 | エピ研磨（Ra< 0.2 nm） | |
| 背面 | ファイングラインド（0.6～1.2 μm）またはエピ研磨 | |
| パターン高さ | 0.45、1.6、1.6 μm | |
| パターンピッチ | 1.0、3.0、3.0 μm | |
| パターン底径 | 0.7、2.4、2.6 μm | |
| パターン配置 |  |
|
| 外観 | 異物、ひび割れ、鋸痕、欠けはありません。 | |
| パッキング | クラス100のクリーンルーム環境で包装されています。 | |
酸化亜鉛（ZnO）ウェハー基板
酸化亜鉛基板は、ワイドバンドギャップ半導体用途に適した基板の一つです。当社では、20 mm x 20 mm、10 mm x 10 mm、5 mm x 5 mmの小型ZnO結晶基板を、(0001)、(10-10)、(10-20)の異なる方位でご提供しています。
仕様
| 純度wt% | > 99.99 |
|---|---|
| 不純物：wt% | Mg: <.0005 Al: < .0030 Si: <.0030 Ti: < .0010 |
| Cu: < .0030 Fe: <.0050 Ca: <.0005 Ag: < .0002 | |
| 結晶構造 | 六角形 |
| 育成方法 | 熱水 |
| モース硬度 | 4 |
| 格子定数（Å） | a= 3.252, c = 5.207 |
| 密度（g/cm^3） | 5.7 |
| 融点（℃） | 1975 |
| 比熱（cal/gm） | 0.125 |
| 熱電定数（mV/°K @ 300℃） | 1200 |
| 熱伝導率（cal/cm/°K） | 0.006 |
| 熱膨張率（×10-6/°K） | 2.9 |
| 転位密度（/cm^2） | <0001>面< 100 |
| 配向性 | <0001>、<11-20>、<10-10>± 0.5°またはカスタム方向 |
| 研磨面 | 片面または両面EPI研磨、Ra < 5Å |
| 標準サイズ（mm） | 5 x 5，10×10,20×20 or 25×25 |
| 厚さ（mm） | 0.35, 0.5 or 1.0 mm |