ディテクタ
1.5 mm InGaAsクワドラントPINディテクタ
型番：PL-1700-IG-QD1.5-TO
PL-IG-1700-QD1.5-TO InGaAs四分円PINディテクタ、赤外計測およびセンシングアプリケーション用の高感度フォトダイオード。800 nmから1700 nmの領域で高い分光感度特性を示します。受光面積は直径4×1.5 mm。平面パッシベーション構造。
電気的/光学的特性(Tsub=25°C、特に断りのない限りCWバイアス)
| Parameters | Sym. | Test conditions | Min | Typ | Max | Unit |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 応答スペクトル | λ | VR=5V | 850~1700 | nm | ||
| 有効径 | φ | – | 4×1.5 | mm | ||
| 素子ギャップ | d | 30 | um | |||
| 反射率 | Re | λ=0.9 µm,VR=5 V,φe =1 µw | 0.3 | A/W | ||
| λ=1.55 µm,VR=5 V,φe =10 µw | 0.9 | |||||
| 逆方向降伏電圧 | VBR | I R =10 µA | 30 | V | ||
| 暗電流 | ID | V R =5V | 0.5 | nA | ||
| 全キャパシタンス | C | V R =5V | 1.5 | nF | ||
| クロストーク | SL | V R =5V | 2 | % | ||
| 最大リニアパワー | Φs | VR =5 V, λ=1.55 μm | 10 | – | – | mW |
| -3dB帯域幅 | BW | VR=5 V,λ=1.55 μm，RL=50 Ω | 100 | – | – | MHZ |
1.6 GHzデュアルポート低ノイズフォトディテクタ
型番：PD-1.6G-2-A
デュアルポート高速低ノイズ光検出モジュールは、2つの独立した超低ノイズアナログピン検出器、低ノイズ広帯域トランスインピーダンスアンプ、超低ノイズ電源を集積しています。高ゲイン、高感度、高帯域幅、低ノイズ、高コモンモード除去比を特徴としています。信号のコモンモードノイズを効果的に低減し、システムのS/N比を向上させることができます。
| 型番 | PD-1.6G-2-A | Unit |
|---|---|---|
| 検出器タイプ | InGaAs | – |
| 波長 | 800~1700 | nm |
| 帯域幅 | 1.6G | Hz |
| 検出器応答性 | 0.95@1550 nm | A/W |
| トランスインピーダンス利得 | 30 K | V/A |
| 飽和入力光パワー | 150 | uW |
| NEP | 9 | pW/Sqrt(Hz) |
| 出力インピーダンス | 50 | Ω |
| 出力カップリングモード | AC | |
| 電源電圧 | 12 | V |
| 電源電流 | 0.5(max) | A |
| OPT IN | FC/APC | |
| RF出力 | SMA | |
| 寸法 | 80*80*25 | mm |
800-1700 nm InGaAsアンプフォトディテクタ
型番：PDAM20A6B4G-InGaAs
PDA-M-20A6B4G-INGaAS 光検出器は、光信号を検出するために使用される定格帯域幅、固定利得光検出器です。光信号は光電センサー表面から入力され、出力はBNCを通して電圧の形で得られます。 本製品は800 nmから1700 nmの波長範囲の光信号を測定することができます。
| 型番 | PDA-M-005B-Si | PDA-M-36A5B6G-SI | PDA-M-20A6B4G-InGaAs |
|---|---|---|---|
| 電気的特性 | |||
| 入力電圧 | ±9VDC, 60 mA | ±9VDG, 100 mA | ±9VDC, 100 mA |
| プローブ | Silicon PIN | Silicon PIN | InGaAs PIN |
| 受光面 | 2.65 mm * 2.65 mm | 3.6 mm * 3.6 mm | Diameters @ 2 mm |
| 波長 | 400 nm – 1100 nm | 320 nm – 1100 nm | 800 nm – 1700 nm (Optional Extended 2600 nm) |
| ピーク応答 | 0.62 A/W @ 850 nm | 0.6 A/W @ 960 nm | 0.9 A/W @ 1550 nm |
| 43.6 mV/uW @ 850 nm | 1 mV/nW @ 960 nm | 9 mV/uW @ 1550 nm | |
| 飽和光パワー | 113 pW @ 850 nm (Hi-Z) | 6 uW @ 960 nm (Hi-Z) | 660 uW @1550 nm (Hi-Z) |
| 帯域幅 | DC – 5 MHz | DC – 200 kHz | DC – 5 MHz |
| NEP | 7.2 pW/4HZ1/2 | 2.2 pW/HZ1/2 | 64.5 pW/HZ1/2 |
| 出力ノイズ（RMS） | 700 uV | 1 mV. typ | 1.3 mV. typ |
| 暗電流バイアス（最大） | ±5 mV | ±1 mV | ±5 mV |
| 立ち上がり/立ち下がりエッジ (10%-90%) | 65 ns | 1.7 us | 68ns |
| 出力電圧 | 0 – SV (Hi-Z) | 0 – 6V (Hi-Z) | 0 – 6V (Hi-Z) |
| 0 – 2.5 V (50 ohm) | 0 – 25 V (50 ohm) | 0 – 25 V (50 ohm) | |
| ゲイン・マルチプル | 67.5 kV/A | 1.68 MV/A | 10 kV/A |
| 33.8 kV/A | 0.84 MV/A | 5 kV/A | |
| ゲイン (typ) | ±1% | ±1% | ±1% |
| その他のパラメータ | |||
| Toggle switch | Toggle switch | Toggle switch | |
| 出力インターフェース | BNC | BNC | BNC |
| 測定 | 53*50*50 mm | 53*50*50 mm | 53*50*50 mm |
| 重量 | 150 g | 150 g | 150 g |
| 動作温度 | 10-50 deg | 10-50 deg | 10-50 deg |
| 保存温度 | -25℃- 70℃ | -25℃- 70℃ | -25℃- 70℃ |