Green Pepperについて
Green Pepper International Limited は、オプトエレクトロニクスセンサーデバイスの世界クラスのプロバイダーになることをお約束します。
現在、オプトエレクトロニクスデバイスの高性能で信頼性の高い製造プラットフォームとレーザーガスセンサープラットフォームを保有しています。
Green Pepper は半導体レーザーパッケージの総合的な生産能力を持っています。Green Pepper のレーザーセンサー製品は、多数の独立特許とユニークなプロセスを保有しており、競争力の面で業界の最前線に位置しています。
光ファイバーセンシング
光ファイバーセンシングとは、光ファイバーをセンシングメディアとして使用し、温度、圧力、応力、変位などの様々な物理量を検出する技術である。
光ファイバーは、周囲の環境の変化により光の伝わり方が変化する。
これらの変化は光ファイバーを通して伝送され、特定のセンサー装置によって分析され、対応する物理量を測定することができる。
高出力DFB狭線幅レーザー
製品用途
- 光ファイバーセンシングと通信分野
- コヒーレント検出
- マイクロ波フォトニクス研究
- 周波数測定研究
- 計器
製品の特徴
- 狭い線幅
- 低い相対強度ノイズ（RIN）および位相ノイズ
- 高い出力光パワー
- 高い安定性
技術仕様
光電子仕様：（環境温度25℃±5）
| パラメーター | Symbols | Min | Typical Value | Max | Units | 備考 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 出力ファイバーパワー | A-Grade | Po | 30 | – | – | mW | |
| P-Grade | 50 | – | – | ||||
| S-Grade | 80 | – | – | ||||
| 中心波長 | λc | 1545 | – | 1560 | nm | 波長のカスタマイズが可能 | |
| 動作電流 | lop | – | – | 400 | mA | ||
| 閾値電流 | Ith | – | 40 | 80 | mA | ||
| 動作電圧 | Vop | – | 2 | 3 | V | ||
| チップ動作温度 | Tchip | 15 | – | 35 | ℃ | ||
| バックライト・モニタリング電流 | Im | 50 | – | 2000 | uA | ||
| 線幅 | ΔVL | – | – | 200 | KHz | ローレンツ ディレイ・セルフヘテロダイン@25Km |
|
| – | – | 350 | |||||
| – | – | 800 | |||||
| 相対強度ノイズ（RIN） | RIN | – | -145 | – | dB/Hz | ||
| アイソレーション | ISO | 40 | – | – | dB | ||
| サイドモード抑制比 | SMSR | 40 | – | – | dB | ||
| 電流-波長係数 | Δλ/I | – | 0.003 | – | nm/mA | 安定した動作温度 | |
| 温度-波長係数 | Δλ/T | – | 0.1 | – | nm/℃ | 安定した動作電流 | |
注：製品パラメータは予告なく変更される場合があります。
OTDRレーザーダイオードシリーズ
製品用途
- 光時間領域反射率計 (OTDR)
- 光ファイバーセンシングと通信
- 光計測
製品の特徴
- 広帯域出力
- 高い安定性
- 高出力ライトパワー
技術仕様
光電子仕様：（環境温度25℃±5）
| パラメーター | Symbol | Min | Typical Value | Max | Unit | 備考 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| ファイバー出力 | Po | 30 | – | – | mW | l=lop |
| 中心波長 | λc | 1501.5 | 1502.5 | 1503.5 | nm | P=Po |
| 1620 | 1625 | 1630 | ||||
| 帯域幅 | Δλ | – | – | 5 | nm | P=Po,@-20dB |
| 動作電流 | lop | – | – | 500 | mA | |
| 動作電圧 | Vop | – | – | 4 | V | P=Po |
| しきい値電流 | Ith | – | – | 80 | mA | |
| チップ動作温度 | Tchip | 15 | – | 35 | ℃ | |
| サーミスタ | Rth | 9.5 | 10 | 10.5 | KΩ | @25℃ |
| 光絶縁 | ISO | 30 | – | – | dB | |
| バックライト・モニタリング電流 | Im | 50 | – | – | uA | @lop |
| 光ファイバータイプ | – | SMF/PMF | – | |||
| 光ファイバー長 | – | 1±0.3 | m | |||
| コネクタ・タイプ | – | FC/APC or FC/PC | – | |||
注：製品のパラメータは予告なく変更される場合があります。
ECLシリーズ狭線幅レーザー
製品用途
- 光通信・センシング分野
- マイクロ波フォトニクス研究
- コヒーレント検出、ライダー
- 冷原子物理学
- 計測機器
製品の特徴
- 狭い線幅
- 低い相対強度ノイズ（RIN）と位相ノイズ
- 高い出力光パワー
- 高い安定性
技術仕様
光学/電気パラメータ：（環境温度25℃±5）
| パラメーター | Symbol | Min | Typical Value | Max | Unit | 備考 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ファイバー出力 | Po | 10 | – | – | mW | ||
| 中心波長 | λc | 1530 | – | 1610 | nm | ||
| 1305 | 1310 | 1315 | |||||
| – | 1064 | – | |||||
| 線幅 | ΔVL | – | 10 | 20 | KHz | ローレンツ ディレイ・セルフヘテロダイン@25Km |
|
| – | – | 5 | |||||
| – | – | 2 | |||||
| 温度チューニング・スロープ | @20KHz | – | – | 20 | – | pm/℃ | 波長可変範囲 最大50pm |
| @5KHz | – | 15 | – | ||||
| @2KHz | – | 12 | – | ||||
| 位相ノイズ | – | – | 22 | – | urad/rt-Hz 1m OPD |
@200Hz | |
| – | 8 | – | |||||
| – | 4 | – | |||||
| 相対強度ノイズ（RIN） | RIN | – | -150 | – | dB/Hz | ||
| 動作電流 | lop | – | – | 400 | mA | ||
| 閾値電流 | Ith | – | 40 | 80 | mA | ||
| 動作電圧 | Vop | – | 2 | 3 | V | ||
| アイソレーション | ISO | 40 | – | – | dB | ||
| 偏光消光比 | PER | 18 | – | – | dB | スロー軸（パンダタイプPMF） | |
| サイドモード抑制比 | SMSR | 50 | – | – | dB | ||
注：製品のパラメータは予告なく変更される場合があります。
狭線幅光源モジュール
製品用途
- 光ファイバセンシング、光ファイバ通信におけるコヒーレント検出
- マイクロ波フォトニクス研究
- LiDAR
- 機器と装置
製品の特徴
- 狭い線幅
- 低い相対強度ノイズ（RIN）と低位相ノイズ
- 高い出力光パワー
- 高い安定性
技術仕様
光電子仕様：（環境温度25℃±5）
| パラメーター | Symbol | Min | Typical Value | Max | Unit | 備考 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ファイバー出力 | Po | 10 | – | – | mW | ECL | |
| 20 | – | 80 | DFB | ||||
| 中心波長 | λc | 1305 | 1310 | 1315 | ECL,ITU-Grid | ||
| 1064 | |||||||
| 1530 | – | 1610 | nm | DFB、範囲内でカスタマイズ可能 | |||
| 1545 | – | 1560 | |||||
| 線幅 | ΔVL | – | – | 2 | KHz | ECL | |
| – | 3 | 5 | |||||
| – | 10 | 20 | |||||
| – | 200 | 500 | DFB | ||||
| 位相ノイズ | @5KHz | – | – | 8 | – | urad/rt-Hz 1m OPD |
ECL |
| @20KHz | – | 22 | – | ||||
| サイドモード抑制比 | SMSR | 40 | – | – | dB | ||
| 相対強度ノイズ(RIN) | RIN | – | -150 | – | dB/Hz | ||
| 光アイソレーション | ISO | 40 | – | – | dB | ||
| 動作電圧 | Vcc | 5 | – | 5.5 | V (DC) | ||
| 消費電力 | – | – | – | 3 | W | ||
| 電源インターフェース | – | DB9 | |||||
| 動作温度 | T | -10 | – | 60 | ℃ | カスタマイズ可能 | |
| 寸法 | Size | 従来型: 101.6×57×13.2+0.5 | mm | ||||
| ミニ: 67×43×13.2+0.5 | |||||||
注：製品のパラメータは予告なく変更される場合があります。
アバランシェ・フォトダイオード
製品用途
- 光学機器
- 光ファイバー通信システム
製品の特徴
- バタフライパッケージ温度制御
- 高応答性、低暗電流
- 気密封止
技術仕様
光・電子仕様：（環境温度25℃±5）
| パラメーター | Symbol | Min | Typical Value | Max | Unit | 備考 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 感度波長範囲 | λ | 1000 ~ 1700 | nm | |||
| 受光素子アクティブエリア直径 | Ф | 50 | – | 200 | μm | |
| 応答性 | Re | 0.8 | – | 1.25 | A/W | λ=1.55μm, M=1, Φe=1μw |
| 最大利得 | Mmax | – | 20 | – | – | λ=1.55μm,Φe=1μw |
| ブレークダウン電圧 | Vbr | 40 | – | 55 | V | ID=10uA, Φe=0 |
| 動作電圧 | Vr | 35 | – | 50 | V | λ=1.55μm, M=10 |
| 暗電流 | ld | – | 5 | 20 | nA | V=Vbr-3, Φe=0 |
| 帯域幅 (-3dB) | BW | 0.5 | 20 | – | GHz | V=Vbr-3, RL=50Ω |
| 等価キャパシタンス | Ceq | – | 0.5 | – | pF | V=Vbr-3, f=1MHz |
| 動作電圧の温度係数 | δ | – | 0.1 | 0.15 | V/℃ | Tc=-40 ~ +85℃ |
注：1.他のタイプの光PINダイオードもご利用いただけます。
2.製品パラメータは予告なく変更する場合があります。