Green Pepper ロゴ

Green Pepperについて

Green Pepper International Limited は、オプトエレクトロニクスセンサーデバイスの世界クラスのプロバイダーになることをお約束します。
現在、オプトエレクトロニクスデバイスの高性能で信頼性の高い製造プラットフォームとレーザーガスセンサープラットフォームを保有しています。
Green Pepper は半導体レーザーパッケージの総合的な生産能力を持っています。Green Pepper のレーザーセンサー製品は、多数の独立特許とユニークなプロセスを保有しており、競争力の面で業界の最前線に位置しています。

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TEL：070-6925-5558

製品ラインナップ

光ファイバーセンシング

光ファイバーセンシング

光ファイバーセンシングとは、光ファイバーをセンシングメディアとして使用し、温度、圧力、応力、変位などの様々な物理量を検出する技術である。
光ファイバーは、周囲の環境の変化により光の伝わり方が変化する。
これらの変化は光ファイバーを通して伝送され、特定のセンサー装置によって分析され、対応する物理量を測定することができる。

高出力DFB狭線幅レーザー

ダイオードレーザー
本狭線幅レーザーは、独自設計のDFB（分布帰還型）レーザーチップをベースとし、先進のパッケージング技術を採用しています。狭線幅、低RIN（Relative Intensity Noise）、低位相雑音、動作電流に対する波長感度の低減が特徴です。このデバイスは、標準的な14ピンのバタフライ・パッケージに収められており、高出力、高安定性、高信頼性、長寿命を提供します。

製品用途

  • 光ファイバーセンシングと通信分野
  • コヒーレント検出
  • マイクロ波フォトニクス研究
  • 周波数測定研究
  • 計器

製品の特徴

  • 狭い線幅
  • 低い相対強度ノイズ（RIN）および位相ノイズ
  • 高い出力光パワー
  • 高い安定性

技術仕様
光電子仕様：（環境温度25℃±5）

パラメーター Symbols Min Typical Value Max Units 備考
出力ファイバーパワー A-Grade Po 30 – – mW
P-Grade 50 – –
S-Grade 80 – –
中心波長 λc 1545 – 1560 nm 波長のカスタマイズが可能
動作電流 lop – – 400 mA
閾値電流 Ith – 40 80 mA
動作電圧 Vop – 2 3 V
チップ動作温度 Tchip 15 – 35 ℃
バックライト・モニタリング電流 Im 50 – 2000 uA
線幅 ΔVL – – 200 KHz ローレンツ
ディレイ・セルフヘテロダイン@25Km
– – 350
– – 800
相対強度ノイズ（RIN） RIN – -145 – dB/Hz
アイソレーション ISO 40 – – dB
サイドモード抑制比 SMSR 40 – – dB
電流-波長係数 Δλ/I – 0.003 – nm/mA 安定した動作温度
温度-波長係数 Δλ/T – 0.1 – nm/℃ 安定した動作電流

注：製品パラメータは予告なく変更される場合があります。

OTDRレーザーダイオードシリーズ

ダイオードレーザー
このレーザーは、独自に設計された半導体レーザーチップをベースとし、高度なパッケージング設計と技術を利用しています。広いスペクトルと高出力を特徴とし、OTDR（光時間領域反射率計）アプリケーションに特に適しています。標準14ピンバタフライ・パッケージを採用し、高出力、高安定性、高信頼性、長寿命を実現しています。

製品用途

  • 光時間領域反射率計 (OTDR)
  • 光ファイバーセンシングと通信
  • 光計測

製品の特徴

  • 広帯域出力
  • 高い安定性
  • 高出力ライトパワー

技術仕様
光電子仕様：（環境温度25℃±5）

パラメーター Symbol Min Typical Value Max Unit 備考
ファイバー出力 Po 30 – – mW l=lop
中心波長 λc 1501.5 1502.5 1503.5 nm P=Po
1620 1625 1630
帯域幅 Δλ – – 5 nm P=Po,@-20dB
動作電流 lop – – 500 mA
動作電圧 Vop – – 4 V P=Po
しきい値電流 Ith – – 80 mA
チップ動作温度 Tchip 15 – 35 ℃
サーミスタ Rth 9.5 10 10.5 KΩ @25℃
光絶縁 ISO 30 – – dB
バックライト・モニタリング電流 Im 50 – – uA @lop
光ファイバータイプ – SMF/PMF –
光ファイバー長 – 1±0.3 m
コネクタ・タイプ – FC/APC or FC/PC –

注：製品のパラメータは予告なく変更される場合があります。

ECLシリーズ狭線幅レーザー

ダイオードレーザー
この狭線幅レーザーは、半導体ゲインチップをベースとし、ユニークな外部共振器構造と高度なパッケージング技術を採用しています。狭線幅、低相対強度ノイズ、低位相ノイズが特徴です。標準14ピンバタフライ・パッケージを採用し、高出力、高安定性、高信頼性、長寿命を実現しています。

製品用途

  • 光通信・センシング分野
  • マイクロ波フォトニクス研究
  • コヒーレント検出、ライダー
  • 冷原子物理学
  • 計測機器

製品の特徴

  • 狭い線幅
  • 低い相対強度ノイズ（RIN）と位相ノイズ
  • 高い出力光パワー
  • 高い安定性

技術仕様
光学/電気パラメータ：（環境温度25℃±5）

パラメーター Symbol Min Typical Value Max Unit 備考
ファイバー出力 Po 10 – – mW
中心波長 λc 1530 – 1610 nm
1305 1310 1315
– 1064 –
線幅 ΔVL – 10 20 KHz ローレンツ
ディレイ・セルフヘテロダイン@25Km
– – 5
– – 2
温度チューニング・スロープ @20KHz – – 20 – pm/℃ 波長可変範囲 最大50pm
@5KHz – 15 –
@2KHz – 12 –
位相ノイズ – – 22 – urad/rt-Hz 1m
OPD		 @200Hz
– 8 –
– 4 –
相対強度ノイズ（RIN） RIN – -150 – dB/Hz
動作電流 lop – – 400 mA
閾値電流 Ith – 40 80 mA
動作電圧 Vop – 2 3 V
アイソレーション ISO 40 – – dB
偏光消光比 PER 18 – – dB スロー軸（パンダタイプPMF）
サイドモード抑制比 SMSR 50 – – dB

注：製品のパラメータは予告なく変更される場合があります。

狭線幅光源モジュール

Narrow Linewidth Light Source Module
狭線幅レーザーモジュールは2つのタイプ ： DFBとECLがあります。各モジュールは、独自設計のDFB狭線幅レーザーとECL狭線幅レーザーをベースとしています。モジュールの電源と駆動回路は、独自のデバイスにより最適化されており、回路ノイズの低減と安定性の大幅な向上を実現しています。また、狭線幅・低位相ノイズを特長とするコンパクト設計を採用し、小型化・低消費電力化というお客様のニーズにお応えします。

製品用途

  • 光ファイバセンシング、光ファイバ通信におけるコヒーレント検出
  • マイクロ波フォトニクス研究
  • LiDAR
  • 機器と装置

製品の特徴

  • 狭い線幅
  • 低い相対強度ノイズ（RIN）と低位相ノイズ
  • 高い出力光パワー
  • 高い安定性

技術仕様
光電子仕様：（環境温度25℃±5）

パラメーター Symbol Min Typical Value Max Unit 備考
ファイバー出力 Po 10 – – mW ECL
20 – 80 DFB
中心波長 λc 1305 1310 1315 ECL,ITU-Grid
1064
1530 – 1610 nm DFB、範囲内でカスタマイズ可能
1545 – 1560
線幅 ΔVL – – 2 KHz ECL
– 3 5
– 10 20
– 200 500 DFB
位相ノイズ @5KHz – – 8 – urad/rt-Hz 1m
OPD		 ECL
@20KHz – 22 –
サイドモード抑制比 SMSR 40 – – dB
相対強度ノイズ(RIN) RIN – -150 – dB/Hz
光アイソレーション ISO 40 – – dB
動作電圧 Vcc 5 – 5.5 V (DC)
消費電力 – – – 3 W
電源インターフェース – DB9
動作温度 T -10 – 60 ℃ カスタマイズ可能
寸法 Size 従来型: 101.6×57×13.2+0.5 mm
ミニ: 67×43×13.2+0.5

注：製品のパラメータは予告なく変更される場合があります。

アバランシェ・フォトダイオード

Avalanche Photodiode

製品用途

  • 光学機器
  • 光ファイバー通信システム

製品の特徴

  • バタフライパッケージ温度制御
  • 高応答性、低暗電流
  • 気密封止

技術仕様
光・電子仕様：（環境温度25℃±5）

パラメーター Symbol Min Typical Value Max Unit 備考
感度波長範囲 λ 1000 ~ 1700 nm
受光素子アクティブエリア直径 Ф 50 – 200 μm
応答性 Re 0.8 – 1.25 A/W λ=1.55μm, M=1, Φe=1μw
最大利得 Mmax – 20 – – λ=1.55μm,Φe=1μw
ブレークダウン電圧 Vbr 40 – 55 V ID=10uA, Φe=0
動作電圧 Vr 35 – 50 V λ=1.55μm, M=10
暗電流 ld – 5 20 nA V=Vbr-3, Φe=0
帯域幅 (-3dB) BW 0.5 20 – GHz V=Vbr-3, RL=50Ω
等価キャパシタンス Ceq – 0.5 – pF V=Vbr-3, f=1MHz
動作電圧の温度係数 δ – 0.1 0.15 V/℃ Tc=-40 ~ +85℃

注：1.他のタイプの光PINダイオードもご利用いただけます。
2.製品パラメータは予告なく変更する場合があります。

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