DIEN TECH – Q-switched Crystals

LiNbO3結晶は、ユニークな電気光学特性、圧電特性、光弾性特性、非線形光学特性を持っており、強い複屈折を持っています。レーザー周波数倍増、非線形光学、ポッケルスセル、光パラメトリック発振器、レーザー用Qスイッチングデバイス、その他の音響光学デバイス、ギガヘルツ周波数用光スイッチなどに使用されています。
光導波路などの製造に優れた材料です。

RTP（チタン酸ルビジウム-RbTiOPO4）は、低スイッチング電圧が要求されるエレクトロ・オプティカル・アプリケーションに広く使用されている材料です。

パッシブQスイッチまたは可飽和吸収体は、電気光学Qスイッチを使用せずに高出力レーザーパルスを発生させるため、パッケージサイズを縮小し、高電圧電源を不要にします。Co2+:MgAl2O4は、1.2～1.6 μm、特にアイセーフな1.54 μmのEr:ガラスレーザーでパッシブQスイッチングを行う比較的新しい材料ですが、1.44 μmや1.34 μmのレーザー波長でも機能します。スピネルは硬くて安定した結晶で、よく研磨されます。

Cr4+:YAGは、0.8～1.2 μmの波長範囲において、Nd:YAGおよびその他のNd、Ybドープレーザの受動Qスイッチングに理想的な材料です。

E-O Qスイッチは、KD*Pのような電気光学結晶に電圧を印加して複屈折を変化させると、通過する光の偏光状態を変化させます。偏光板と組み合わせて使用することで、光スイッチ（レーザーQスイッチ）として機能します。

La3Ga5SiO14結晶（LGS結晶）は、高い損傷しきい値、高い電気光学係数と優れた電気光学性能を持つ光学非線形材料です。LGS結晶は、三方晶系構造に属し、熱膨張係数が小さく、結晶の熱膨張異方性が弱く、高温安定性が良く（SiO2より良い）、2つの独立した電気光学係数はBBO結晶と同程度です。