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Hangzhou BrandNew Technology Co.,Ltd.について

 BrandNew Technologyは2011年に設立され、レーザーチップ、ファイバー結合レーザーダイオード、シングルバー、高出力ダイオードレーザーアレイなど、幅広い波長と高出力ダイオードレーザー、レーザーシステムを製造しています。

ダイオードレーザーチップ製品

22 W 945 nm Laser Diode Bare Chip

22 W 945 nm Laser Diode Bare Chip
仕様(一部を抜粋)

項目 数値(Typ)
中心波長 945 nm
出力 22 W
スペクトラム幅 4 nm
エミッタ幅 190 μm
キャビティ幅 500 μm
キャビティ厚み 130 μm
偏光モード TE

用途

  • 医療分野
  • DPSSポンプソース
  • LiDAR

500 mW 976 nm Single Mode Laser Chip

500 mW 976 nm Single Mode Laser Chip
仕様(一部を抜粋)

項目 数値
中央波長 976 nm
出力 500 mW
動作モード CW
スペクトル幅 FWHM 5 nm
エミッター幅 3 μm
キャビティ幅 500 μm
キャビティ長 4000 μm
キャビティ厚さ 150 μm

用途

  • 主要部品(レーザーポンピング、レーザー加工、先端加工製品等)

ファイバーカップル製品

1392.5 nm Single Frequency Laser Diode

1392.5 nm Single Frequency Laser Diode
仕様(一部を抜粋)
 

項目 数値
中央波長 1392.5 nm
出力 10 mW
ファイバーコア 105 μm
ファイバー長さ 1m
ファイバーコネクター FC/APC
動作電流 120 mA
動作電圧 2 V
PD <1000 uA
TEC 電流/電圧 0.1 A/0.2 V

特徴/用途

  • H2O TDLAS検出用に設計
  • DFBレーザー/単一周波数/単一モード
  • 温度、電流によるチューニングが可能
  • シングルモードファイバ、FC/APCコネクタ

1512.2 nm Butterfly Laser Diode For NH3 TDLAS Detection

1512.2 nm Butterfly Laser Diode For NH3 TDLAS Detection
仕様(一部を抜粋)

項目 数値
中央波長 1512.2 nm
出力 10 mW
ファイバーコア 105 μm
ファイバー長さ 1m
ファイバーコネクター FC/APC
動作電流 120 mA
動作電圧 2 V
PD <1000 uA
TEC 電流/電圧 0.1 A/0.2 V

特徴/用途

  • NH3 TDLAS検出用に設計
  • DFBレーザー/単一周波数/単一モード
  • 温度、電流によるチューニング可能
  • シングルモードファイバ、FC/APCコネクタ (PMFも対応可能)

シングルエミッター製品

1273 nm DFB TO39 Laser Diode

1273 nm DFB TO39 Laser Diode
仕様(一部を抜粋)

項目 数値
中央波長 1273 nm
出力 10 mW
動作電流 120 mA
動作電圧 2 V
PD <1000 uA
TEC 電流/電圧 0.1 A/0.2 V

用途

  • HF検知

10 mW 1653.7 nm TO-39 LD For Gas Sensing

10 mW 1653.7 nm TO-39 LD For Gas Sensing
仕様(一部を抜粋)

項目 数値
中央波長 1653.7 nm
出力 10 mW
動作電流 120 mA
動作電圧 2 V
PD <1000 uA
TEC 電流/電圧 0.1 A/0.2 V
動作温度 15~45℃
保管温度 -40-+85℃

特徴/用途

  • メタンTDLAS検出用の設計
  • DFBレーザー/単一周波数/単一モード
  • 温度または電流でチューニング可能
  • TECとサーミスタを内蔵したTO-39パッケージ

製品の販売実績

(2025年4月更新)
アカデミック

  • 名古屋大学

企業

  • 大手非鉄金属メーカー
  • 蛍光体メーカー