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NTTエレクトロニクス(NEL)について

NTT Electronics gas-sensing
NTTエレクトロニクス(NEL)は、光ファイバアクセス用部品、映像符号化チップ等のNTTグループが
事業提供するサービス及びそれを支えるネットワーク基盤を具現化するキーデバイスを
設計・製造しています。

ガス検知用DFBレーザーや狭腺幅(単一周波数)DFBレーザーを作製しております。

 

 

製品 – products

ガス検知用DFBレーザー

Wavelength Band Wavelength Package 14-pin Butterfly(左10mW, 右20mW)
O-band 1260-1360 nm NLK1B5EAAA NLK1B5GAAA
E-band 1360-1460 nm NLK1E5EAAA NLK1E5GAAA
S-band 1460-1530 nm NLK1S5EAAA NLK1S5GAAA
C-band 1530-1565 nm NLK1C5EAAA NLK1C5GAAA
L-band 1565-1625 nm NLK1L5EAAA NLK1L5GAAA
UL-band 1625-1670 nm NLK1U5EAAA (NLK1U5FAAA)(15mW)
UL(+)-band 1670-1690 nm NLK1U5EAAA (1670-1690)
1690-1705 nm NLK1U5EAAA (1690-1705)

もっと長い波長

Wavelength Package
TO-CAN 14-pin Butterfly
1735-1805 nm KELD1F5C2TA (10 mW) KELD1F5DAAA (5 mW)
1865-1890 nm
1995-2015 nm
KELD1G5B2TA (5 mW) KELD1G5BAAA (2 mW)
near 2050 nm KELD1G5A4TA-2050 (5 mW) KELD1G5BAAA (2050) (2 mW)
near 2100 nm KELD1G5A4TA-2100 (5 mW) KELD1G5BAAA (2100) (2 mW)
near 2330 nm 問合わせてください KELD1G5BAAH (2330) (2 mW)

 

A variety of DFB-LD are available for Telecom and Spectroscopy applications:

DFB_grafh

狭線幅DFBレーザ

  • 波長範囲:1550 – 1560 nm
  • スペクトラル線幅:< 100kHz
  • 14ピンバタフライ

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Tsub = 25deg.C)

Parameter Symbol Ratings Units
Laser diode reverse voltage V R 2 V
Laser diode forward current I F 350 mA
Operating case temperature T case -5 to 55 deg.
Storage temperature T stg -20 to 70 deg.
Photodiode reverse voltage V DR 10 V
Photodiode forward current I DF 10 mA
Peltier current I P 1.4 A

ELECTRICAL/OPTICAL CHARACTERISTICS(Tsub = 30deg.C)

Parameter Symbol Condition Min. Typ. Max. Units Data
Forward voltage V F I F = 30mA 1 1.5 V Deliver
Threshold current I (TH) CW 25 40 mA Deliver
Fiber output power Φe CW, I F = 300mA 8 12 mW Deliver
Peak wavelength λ p CW, I F = 300mA 1540 1550 1560 nm Deliver
Side mode suppression ratio SMS CW, I F = 300mA 35 40 dB Deliver
Spectral linewidth Δν CW, I F = 300mA 100 kHz Deliver
Monitoring current(PD) I R(E) CW,V DR = 5V,I F = 300mA 0.1 mA Deliver
Dark current(PD) I r(0) CW,V DR = 5V 100 nA Deliver
Tracking error E R I R(E) = constant -0.5 0.5 dB Deliver
Cooling Capacity ΔTPE I F = 300mA,T case = 55deg. 30 35 deg. Option
Peltier Current I PE Tcase = -5 to 55deg. 1 A Option
Peltier Voltage VPE Tcase = -5 to 55deg. 2 V Option
Thermister Resistance R Tsub = 25deg. 10
Isolation I s Tsub = 25deg. 55 dB

ΔI F = I F – I (TH) , ΔT=| T case – T sub |

 

中赤外波長変換レーザ光源 Opti λ(3000 – 4000 nm)

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特徴

  • 出力:50 μW (@3360 nm)
  • シングルモード発振
  • 広い波長チューニング
  • 直接変調可能
  • ハイドロカーボン系ガスの吸収分光に最適

 

Item Specification
Model WD-XXXX-000-A-A-E XXXX is wavelength in nm unit.
Wavelength 3000 – 4000 nm
Tunable range per one unit 26 nm
Linewidth (FWHM) 30 MHz
Maximu Output Power 50 μW
Beam Mode TEM00
Beam Diameter A Si lens is mounted on a barrel lens holder for beam collimaton.
Polarization 100 : 1 (Vertical)
Power Supply 5 VDC
Power Consumption 20 W (typical) 40 W (max)
External Modulation Input 0 – 1 V
Size (Head) 180 x 60 x 160 mm
Size (Driver) 180 x 56 x 130 mm

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