NTTイノベーティブデバイス株式会社

NTTイノベーティブデバイス株式会社について

NTT Electronics gas-sensing
NTTイノベーティブデバイス株式会社(前NTTエレクトロニクス株式会社)は、光ファイバアクセス用部品、映像符号化チップ等のNTTグループが事業提供するサービス及びそれを支えるネットワーク基盤を具現化するキーデバイスを設計・製造しています。

ガス検知用DFBレーザーや狭腺幅(単一周波数)DFBレーザーを作製しております。
またLiDAR(ライダー)向けに各種のレーザーを提供しています。

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ライダー向けレーザー

ご参考:(株)光響が取り扱うLiDR関連製品

DFB レーザー

DFB レーザー

EA DFB レーザ cooled TOSA

EA DFB レーザ cooled TOSA

センシング用 TO Can

センシング用 TO Can

NLK1C5EAAA

1530-1565nmのDFBレーザーダイオードで、バタフライ型14ピンパッケージ、熱電冷却器付きです。

特長

  • 波長範囲: 1530 – 1565 nm, ITU-T grid wavelength
  • ファイバ出力電力: 10mW

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Tsub=25deg.C)

Parameter Symbol Ratings Units
レーザーダイオード逆電圧 VR 2.0 V
レーザーダイオード順方向電流 IF 225 mA
動作時温度 Tcase -5 to 70 deg.
保存温度 Tstg -40 to 85 deg.
フォトダイオード逆電圧 VDR 10 V
フォトダイオード順電流 IDF 10 mA
ペルチェ電流 IP 1.4 A

ELECTRICAL/OPTICAL CHARACTERISTICS(Tsub=25deg.)

Parameter Symbol Condition Min. Typ. Max. Units
順電圧 VF IF=30mA 1.2 1.6 V
しきい値電流 I(TH) CW 10 20 mA
ファイバ出力パワー φe CW,IF=80mA 10 mW
ピーク波長 λp CW,fe=10mW -1 ITU-T +1 nm
スペクトル線幅* Δν CW,fe=10mW 2 MHz
サイドモード抑圧比 SMS CW,fe=10mW 35 dB
監視電流(PD) IR(E) CW,fe=10mW 0.1 mA
暗電流(PD) Ir(0) CW,VDR=5V 100 nA
トラッキングエラー ER IR(E)=constant -0.5 +0.5 dB
冷却能力* ΔTPE φe=10mW, Tcase=70deg 45 deg.
ペルチェ電流 IPE Tcase=-5 to 70deg. 1 A
ペルチェ電圧 VPE Tcase=-5 to 70deg. 2 V
サーミスター耐性* R Tsub=25deg. 10
絶縁性* Is Tsub=25deg. 30 dB

ΔT=| Tcase-Tsub |

NLK1C5GAAA

1530-1565 nmのDFBレーザーダイオードで、熱電冷却器を備えたバタフライタイプの14ピンパッケージです。
ピグテールファイバはFC/PCコネクタで接続されています。

特長

  • 波長範囲: 1530 – 1565 nm, ITU-T grid wavelength
  • ファイバー出力パワー: 20mW

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Tsub=25deg.C)

Parameter Symbol Ratings Units
レーザーダイオード逆電圧 VR 2.0 V
レーザーダイオード順方向電流 IF 225 mA
動作時温度 Tcase -5 to 70 deg.
保存温度 Tstg -40 to 85 deg.
フォトダイオード逆電圧 VDR 10 V
フォトダイオード順電流 IDF 10 mA
ペルチェ電流 IP 1.4 A

ELECTRICAL/OPTICAL CHARACTERISTICS(Tsub=25deg.)

Parameter Symbol Condition Min. Typ. Max. Units
順電圧 VF IF=30mA 1.2 1.6 V
しきい値電流 I(TH) CW 10 20 mA
ファイバ出力パワー φe CW,IF=130mA 20 mW
ピーク波長 λp CW,fe=20mW -1 ITU-T +1 nm
スペクトル線幅* Δν CW,fe=20mW 2 MHz
サイドモード抑圧比 SMS CW,fe=20mW 35 dB
モニター電流(PD) IR(E) CW,fe=20mW 0.1 mA
暗電流(PD)* Ir(0) CW,VDR=5V 100 nA
トラッキングエラー ER IR(E)=constant -0.5 +0.5 dB
冷却能力* ΔTPE φe=20mW, Tcase=70deg. 45 deg.
ペルチェ電流* IPE Tcase=-5 to 70deg. 1 A
ペルチェ電圧* VPE Tcase=-5 to 70deg. 2 V
サーミスター抵抗値* R Tsub=25deg. 10
アイソレーション* Is Tsub=25deg. 30 dB

ΔT=| Tcase-Tsub |

お問い合わせ

ガス検知用DFBレーザー

Telecom-band

Wavelength Band Wavelength Package 14-pin Butterfly(左10mW, 右20mW)
O-band 1260-1360 nm NLK1B5EAAA NLK1B5GAAA
E-band 1360-1460 nm NLK1E5EAAA NLK1E5GAAA
S-band 1460-1530 nm NLK1S5EAAA NLK1S5GAAA
C-band 1530-1565 nm NLK1C5EAAA NLK1C5GAAA
L-band 1565-1625 nm NLK1L5EAAA NLK1L5GAAA
UL-band 1625-1670 nm NLK1U5EAAA (NLK1U5FAAA)(15mW)
UL(+)-band 1670-1690 nm NLK1U5EAAA (1670-1690)
1690-1705 nm NLK1U5EAAA (1690-1705)

Longer wavelength

Wavelength Package
TO-CAN 14-pin Butterfly
1735-1805 nm KELD1F5C2TA (10 mW) KELD1F5DAAA (5 mW)
1865-1890 nm
1995-2015 nm
KELD1G5B2TA (5 mW) KELD1G5BAAA (2 mW)
near 2050 nm KELD1G5A4TA-2050 (5 mW) KELD1G5BAAA (2050) (2 mW)
near 2100 nm KELD1G5A4TA-2100 (5 mW) KELD1G5BAAA (2100) (2 mW)
near 2330 nm お問い合わせ KELD1G5BAAH (2330) (2 mW)

A variety of DFB-LD are available for Telecom and Spectroscopy applications:
DFB_grafh

COガスモニタリング用 2.3μmDFB

モードホップフリーの単一モード発振で動作します。2mWのファイバ出力が得られます。

技術データ

特長及び用途他

  • 2.33μm
  • 高SMSR (>30 dB)
  • アイソレータ内蔵バタフライPKG
  • ファイバ出力
  • CO 一酸化炭素ガスモニタリング
  • TDLAS、WMSに適用可能

低水分濃度計測用1392nmDFB

モジュール型製品で、従来型PKGで問題となっていたサファイア窓と光ファイバ結合部の空間をなくすことで、
外気の影響を受けず極微量の水分濃度を再現性良く計測できます。

技術データ

特長及び用途

  • 波長1392.5nm (H2O計測)
  • ファイバ内挿型パッケージ
  • 14ピンバタフライPKG
  • TDLAS、WMS計測に適用可能
  • 微量水分計測に最適

LiDAR用PLC

製品イメージ

特徴

  • 低損失・高出力→長距離検出・高解像度、FMCW方式にも利用可能
  • 小型・軽量→自律走行車、小型ロボット、ドロ-ン等に搭載可能
  • 量産→ウェハ-製造よる量産化、短納期、低コスト化を実現
  • 高品質・高信頼性→テレコム関係で40年以上の実績
  • カスタマイズ→開発から量産までサポート、光通信波長(1200nm~1700nm)で対応可能

UTC-PDフォトミキサモジュール

フォトミキシングをベースにしたTHz波発生は、光変調信号を直接THz信号に変換したり、ASEライクなTHz波を発生できるなど優れた特徴を持っています。単一走行キャリア(UTC)構造が持つ高速応答性と高光入力領域での線形性の良さから、UTCフォトミキサでは非常に広い帯域と高い出力のTHz波発生に大変有効なデバイスです。

  • 高効率CW・THz波発生
  • 矩形導波管出力UTCフォトミキサモジュール
    W-, F-, D-, J-バンドフォトミキサ4種類で75~380GHzをカバー
  • アンテナ集積UTCフォトミキサ(準光学タイプ)
    250~3000GHz以上をカバー
Type(※) Model Frequency Output Power
Min Center Max Unit Min Typ Unit
W IOD-PMW-13001 75 90 110 GHz -8.0 -5.0 dBm
IOD-PMF-13001 90 115 140 GHz -8.0 -5.0 dBm
IOD-PMD-14001 110 140 170 GHz -9.0 -6.0 dBm
IOD-PMJ-13001 280 330 380 GHz -18.0 -11.0 dBm
A IOD-PMAN-13001 300 2500 GHz -34.0 -28.0 dBm

(※) Wタイプは導波路結合タイプのフォトミキサーです。 出力電力は中心周波数で測定されます。
Aタイプはアンテナ一体型フォトミキサーです。 出力電力は最大電力として定義されます。

フェルミレベル制御バリア(FMB)ダイオード

FMB ダイオードはn-InGaAs/InP/n-InP 構造を基本としています。InP系半導体では、n-InGaAsのドーパント濃度を適切に設計することでフェルミレベルを伝導体中にも設定することが可能なため、n-InGaAs/InP構造で100meV前後の低い障壁エネルギー(ΦBn)が実現できます。この低障壁エネルギー構造により、InP上に集積化した広帯域アンテナや、TIAに代表される高速プリアンプとの間でほぼ完全なインピーダンス整合を得ることができます。この結果、FMBダイオードモジュールでは、広帯域THz波受信と、高い電圧電流感度及び低い等価雑音パワー(NEP) 特性を両立しています。

低雑音オペアンプ組込みFMBダイオードモジュール

IOD-FMB-18001モジュールは、自己補対ボータイアンテナを集積化したFMBダイオードチップと低雑音オペアンプを組み合わせた二乗検波用受信モジュールです。
300GHz受信において5pW/Hz0.5以下の非常に低い等価雑音パワー(NEP) と2MV/W以上の高い電圧感度を実現しました。
1THz受信時でも、45pW/Hz0.5以下のNEPを実現します。

TIA組込みFMBダイオードモジュール

IOD-FMB-19001モジュールは、自己補対ボータイアンテナを集積化したFMBダイオードチップとTIA(帯域11GHz)を組み合わせたヘテロダイン検波用受信モジュールです。二乗検波動作では、300GHz受信において15pW/Hz0.5以下の低い等価雑音パワー(NEP) と17kV/W以上の電圧感度を有しています。
ヘテロダイン検波動作では、従来のショットキーバリアダイオードに比べて3桁程度低い6µWのLOパワーにおいて1.1×10-18W/HzのNEPを実現しています。

Item Specifi cations
Model IOD-FMB-18001 IOD-FMB-19001
Module configration Zero-bias FMB diode with op-amp Zero-bias FMB diode with TIA
Antenna type Self-complimentary bow-tie antenna Self-complimentary bow-tie antenna
Lens type and diameter Hyper-hemispherical (10mm dia.) Hyper-hemispherical (10mm dia.)
Lens type and diameter Hyper-hemispherical (10mm dia.) Hyper-hemispherical (10mm dia.)
Terahertz bandwidth > 200GHz > 200GHz
Pre amplifier type Low-noise operational amplifier Transimpeadance amplifier
Pre amplifier bandwidth 20Hz – 15kHz 30kHz – 11.8GHz
Output connector SMA (Female) SMP×2 (male, differential output)
Noise equivalent power (NEP) 5pW/sqrt(Hz) @300GHz
45pW/sqrt(Hz) @1000GHz
15pW/sqrt(Hz) @300GHz
Voltage sensitivity 2MV/W @300GHz
0.2MV/W@1000GHz
17kV/W @300GHz
Electrical power supply DC±5V DC+3.3V

販売実績

アカデミック

  • 九州大学
  • 東京都立大学

企業

  • 大手重工業メーカー
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